| TGL-Nr. |
Jahr |
Inhalt |
| 200-3541/01 |
1963-10-00 |
Elektrische Nachrichtentechnik, HF-Steckvorrichtungen 75-1,8/6,2, Anschlussmaße |
| 200-3603/01 |
1971-07-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, umschirmt, Stiftdurchmesser 1 mm, Hauptkennwerte |
| 200-3603/02 |
1976-02-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, ungeschirmt, Stiftdurchmesser 2,5mm, Hauptkennwerte |
| 200-3603/03 |
1967-12-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, geschirmt, Hauptkennwerte |
| 200-3603/05 |
1973-11-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, Montageplatte |
| 200-3603/06 |
1985-10-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 2-32/23-44x11, Gehäuse, Flansch, Deckel, Zugentlaster, technische Bedingungen |
| 200-3606/01 |
1966-09-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NOF über 50 bis 60cm3, Hauptkennwerte |
| 200-3630 |
1971-11-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 4/83x15 IP00, Hauptkennwerte |
| 200-3633 |
1979-11-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 1/14, technische Bedingungen |
| 200-3796/01 |
1981-03-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Hauptmaße, Löteigenschaften, Lieferung |
| 200-3796/02 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.1 und NSF 30.6 |
| 200-3796/03 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.2 und NSF 30.3 |
| 200-3796/04 |
1975-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.4 und NSF 30.5 |
| 200-3800 |
1985-09-00 |
Kotakt-Bauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6; Bajonettfesthaltung, technische Bedingungen |
| 200-3819/01 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, Anschlussmaße |
| 200-3819/02 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, technische Bedingungen |
| 200-3820 |
1973-12-00 |
Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 8-31/50-90x10, Hauptkennwerte |
| 200-7037/02 |
1981-12-00 |
Heimelektronik, UKW-Eingangsteil Typ 2 mit Drehkondensatorabstimmung, technische Forderungen |
| 200-8002 |
1966-03-00 |
Elektronenröhren, Empfangerröhren EC 360 |
| 200-8004 |
1966-09-00 |
Elektronenröhren, Empfangerröhren EY 51 |
| 200-8011 |
1974-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-Diodenpaar, 2 GA 109 |
| 200-8012 |
|
ZA 250/1 bis ZA 250/24 |
| 200-8013 |
|
GA 106 (OA 647) / GA 107 (OA 666) |
| 200-8014 |
|
OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 / OA 605 |
| 200-8015 |
1982-06-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen |
| 200-8015 - 1. Änderung |
1984-08-01 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen |
| 200-8018 |
1966-05-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 183 |
| 200-8019 |
1966-05-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 184 |
| 200-8020 |
1967-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 500 |
| 200-8022 |
1966-10-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PC 88 |
| 200-8023 |
1963-04-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 4 S 2, Hauptkennwerte |
| 200-8024 |
1967-05-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 3, Hauptkennwerte |
| 200-8025 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 7, Hauptkennwerte |
| 200-8026 |
1965-11-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 6, Hauptkennwerte |
| 200-8041 |
|
Feste Drahtwiderstände, Baureihe 22; techniche Bedingungen |
| 200-8042 |
1979-10-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, feste Drahtwiderstände, Baureihe 84, technische Bedingungen |
| 200-8043/02 |
1970-11-00 |
Festwiderstände, Drahtwiderstände, Baureihe 24 |
| 200-8077 |
1979-12-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 554, technische Bedingungen |
| 200-8078 |
1970-12-00 |
Veränderbare Widerstände, Normallastdrahtdrehwiderstände, Hauptkennwerte |
| 200-8080 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 1/3,3, Schraubenfesthaltung, technische Bedingungen |
| 200-8127 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente, pnp-Hochfrequenztransistoren GF 145, technische Bedingungen |
| 200-8128 |
|
501 / SZ 522 |
| 200-8129 |
1963-09-00 |
Elektronenröhren, Thyratron S1, 3/30 dV, Hauptkennwerte |
| 200-8138 |
|
OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903 |
| 200-8139 |
|
Selenamplitudenbegrenzer |
| 200-8140 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenztransistoren SF 136 und SF 137,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8141 |
|
OA 720 / OA 721 / OA 741 / OA 780 (GA 106 / GA 107) |
| 200-8142 |
1981-03-00 |
Halbleiterbauelemente, SZX 18/1, SZX 18/5,6 bis SZX 18/33, SZX 19/5,1 bis SZX 19/33, technische Bedingungen |
| 200-8143 |
|
OA 904 / OA 905 |
| 200-8144 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 560 M, Z 5600 M, Z 561 M und Z 5610 M |
| 200-8146 |
1963-06-00 |
Elektronenröhren, dekadische Anzeigeröhre Z 565M, Hauptkennwerte |
| 200-8149 |
1964-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre für Spezialzwecke ECC 865 |
| 200-8151 |
1968-10-00 |
Elektronenröhren, Höchstfrequenzröhren, Reflexklystron HKR 902 |
| 200-8136 |
198012-00 |
Elektronenröhren, Drehanoden-Röntgenröhren DR 150/30/50 ö und DR 151/30/50 ö, technische Bedingungen |
| 200-8137 |
1981-05-00 |
Elektronenröhren, Spektroskopie-Röntgenröhren FS Mo 60/35 ö und FS W 60/35 ö, technische Bedingungen |
| 200-8138 |
|
OA 900 / OA 905 (Gleichrichterdioden kleiner Leistung) |
| 200-8158 |
1963-04-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EYY 13, Hauptkennwerte |
| 200-8159 |
1966-01-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre ECC 813 |
| 200-8238 |
|
GD 150 / GD 160 / GD 170 / GD 175 / GD 180 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren) |
| 200-8240 |
|
GD 100 / GD 110 / GD 120 / GD 130 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren) |
| 200-8253 |
|
GS 100 (Germanium-pnp-Schalttransistor) |
| 200-8276 |
1967-07-00 |
Festkondensatoren, Papier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8277 |
1967-07-00 |
Festkondensatoren, Metallpapier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8278/01 |
1976-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen |
| 200-8278/02 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung |
| 200-8279 |
1974-08-00 |
Festkondensatoren, Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8281/01 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen |
| 200-8281/02 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung |
| 200-8290 |
|
SC 100 / SC 103 / SC 104 / SS 101 / SS 102 (Silizium-p-n-p-NF-Transistor) |
| 200-8292 |
|
OA 910 (Kapazitätsdiode) |
| 200-8294/02 |
1967-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB, Einfachkapazitäten, zylindrisch, axialer Drahtanschluss, Hochvolt, Hauptkennwerte |
| 200-8302 |
|
Selenstabgleichrichter im HP-Rohr |
| 200-8320 |
|
GF 140 / GF 141 / GF 142 / GF 143 (Germanium-p-n-p-HF-Transistor) |
| 200-8328/02 |
1965-06-00 |
Magnetomechanische Bandfilter, Einseitenbandfilter MF 450 ñ E-0310, Hauptkennwerte |
| 200-8329 |
1965-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Diodenquartett 4 GA 114 |
| 200-8330 |
1967-09-00 |
Elektronenröhren, Ionisationsvakuummeterröhre MR 04 |
| 200-8332 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre EL 500 |
| 200-8336 |
1965-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Halbleiterdioden-Paar 2 GA 113 |
| 200-8351 |
1968-04-00 |
Drehwiderstände, HF-Spannungsteiler, Hauptkennwerte |
| 200-8352 |
|
GY 099 / GY 105 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 0,1 A) |
| 200-8353 |
|
GY 109 / GY 115 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 1A) |
| 200-8355 |
|
GA 108 / OA 686 |
| 200-8361 |
|
GY 120 / GY 125 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 10A) |
| 200-8364 |
|
GAY 60 / GAY 61 / GAY 62 / GAY 63/ GAY 64 (Schaltdiode) |
| 200-8365 |
|
SY 160 / SY 162 / SY 164 / SY 166 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 10 A) |
| 200-8373 |
1965-11-00 |
Elektronenröhren, Leistungsschaltröhre Z 0,7/100U |
| 200-8377 |
|
GAZ 15 / GAZ 17 (Schaltdiode) |
| 200-8379 |
|
GAZ 14 / GAZ 16 (Schaltdiode) |
| 200-8385 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren, Sendedoppeltetrode SRS 4453, technische Bedingungen |
| 200-8389 |
1975-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Schalttransistoren GS 109, GS 111, GS 112 |
| 200-8390 |
|
GF 100 / GF 105 (Germanium-pnp-HF-Transistor) |
| 200-8391 |
1975-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenztransistoren GC 100 und GC 101 |
| 200-8392 |
|
GC 115 / GC 116 / GC 117 / GC 118 (Germanium-pnp-NF-Transistor) |
| 200-8393 |
|
GC 120 / GC 121 / GC 122 / GC 123 (Germanium-pnp-NF-Transistor) |
| 200-8394 |
|
SY 100 / SY 130 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A) |
| 200-8398 |
|
SY 200 / SY 210 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A) |
| 200-8399 |
|
SF 131 / SF 132 |
| 200-8405 |
1974-12-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRS 326 |
| 200-8406 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Senderöhre SRS 302 |
| 200-8408 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 328 |
| 200-8409 |
1965-12-00 |
Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 331 |
| 200-8410 |
1968-10-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 4 |
| 200-8413 |
1969-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 4 |
| 200-8419 |
|
SF 121 / SF 122 / SF 123 |
| 200-8423 |
1985-07-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Zwillings-Kondensatoren freitragend, technische Bedingungen |
| 200-8427 |
1981-03-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren im zylindrischen Metallgehäuse mit Drahtanschluss,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8430 |
1971-11-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhren PFL 200 |
| 200-8439 |
1983-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenz-Transistoren SF 126 bis SF 129C und 129D,&xnbsp;technische Bedingungen |
| 200-8441 |
1966-09-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre DY 51 |
| 200-8442 |
1985-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Widerstände für Zündzwecke, technische Bedingungen |
| 200-8444 |
1970-12-00 |
Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 8 |
| 200-8447/01 |
1971-04-00 |
Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Bedingungen, Prüfung und Lieferung |
| 200-8447/02 |
1978-10-00 |
Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren MKC 1, zylindrische mit axialen Drahtanschlüssen, technische Bedingungen |
| 200-8448 |
1967-09-00 |
Elektronenröhren, Grobstruktur-Röntgenröhre GE 200/8ö |
| 200-8451 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren, Sendetetrode SLR 460, technische Bedingungen |
| 200-8466 |
1982-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Schaltdioden SAY 30, SAY 32, SAY 40, SAY 42, SAY 50, SAY 52, SAY 60, SAY 62, technische Bedingungen |
| 200-8469 |
|
GP 119 / GP 120 / GP 121 / GP 122 (Photodioden) |
| 200-8473 |
1967-12-00 |
Elektronenröhren, Magnetron HMI 942 |
| 200-8474 |
1967-11-00 |
Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 570 M und Z 5700 M |
| 200-8486 |
1981-03-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, feste Schichtwiderstände Baureihe 145, technische Bedingungen |
| 200-8491 |
1969-12-00 |
Drehwiderstände, Einfach-Schichtwiderstände mit gerändelter Kunststoffwelle, Kenngröße 2, 4 und 8, Hauptkennwerte |
| 200-8493/01 |
1977-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren Nennspannung 400V, technische Bedingungen |
| 200-8493/02 |
1968-09-00 |
Scheibentrimmer, Nenngleichspannung 250V, Hauptkennwerte |
| 200-8506 |
1968-04-00 |
Elektronenröhren, Kaltkatoden - Relaisröhre Z 865 W |
| 200-8510 |
1968-09-00 |
Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 504 |
| 200-8511 |
1986-03-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 13/60, technische Bedingungen |
| 200-8512 |
1967-12-00 |
Festwiderstände, Schichtwiderstände, Baureihe 19 |
| 200-8513 |
1979-11-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrisch
axialer Drahtanschluss,Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8514 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren,Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrische Schraub- und Flachsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8515 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Mehrfachkapazitäten, zylindrische Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen |
| 200-8519 |
1986-02-00 |
Festkondensatoren, Tantal-Festkörper-Kondensatoren, zylindrisch, hermetisch dicht, technische Bedingungen |
| 200-8520 |
1969-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenz, Leistungs-Transistoren GD 240, GD 241, GD 242, GD 243 und GD 244 |
| 200-8533 |
|
SAY 10 / SAY 11 / SAY 14 / SAY 15 (Schaltdioden) |
| 200-8543 |
1969-05-00 |
Elektronenröhren, Stabilisatorröhren SStR 85/5 |
| 5151/01 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren TYP 2A, zylindrisch, Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Niedervolt; Hauptkennwerte |
| 5155 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren; Polystyrol-Kondensatoren exzentrisch axial; Technische Bedingungen |
| 7198 |
1986-03-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; zylindrisch, axiale Anschlussdrähte, Niedervolt, Typ 2A; Technische Bedingungen |
| 8095 |
1966-01-00 | Halbleiterelemente; Germanium-Dioden; 0A 625, 0A 645, 0A 665, 0A 685, 0A 705; GA 100, GA 101, GA 102, GA 103, GA 104 |
| 8096 |
1974-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Germanium-Diode; GA 105 |
| 8098 |
|
OC 816 / OC 817 / OC 818 / OC 820 / OC 821 / 2 OC 821 / OC 822 / OC 823 |
| 8728/01 |
1987-04-00 |
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Feste Schichtwiderstände Baureihe 25; Technische Bedingungen |
| 8728/02 |
1982-12-00 |
Feste und mechanische Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 250; Technische Bedingungen |
| 8751 |
1975-04-00 |
Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; Mehrfachkapazitäten, Prismatisch; Kleinreihe |
| 8754 |
1981-09-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; veränderbare Drahtwiderstände Baureihen 434, 444 und 474; Technische Bedingungen |
| 8836/01 |
1989-05-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfangsgeräte und -kombinationen; Allgemeine technische Bedingungen |
| 8836/02 |
1977-09-00 |
Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Technische Bedingungen für Reiseempfänger und Reiseempfängerkombinationen |
| 8836/04 |
1975-12-00 |
Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen |
| 8836/05 |
1974-12-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen |
| 8836/09 |
1974-12-00 |
Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Akustische Prüfungen |
| 8837 |
1988-12-00 |
Autoempfänger, Autokassenradios und -kassengeräte in Kraftfahrzeugen; Einbaumaße und -bedingungen |
| 8838/01 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Technische Bedingungen |
| 8838/02 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Allgemeine Prüfbedingungen für die Typprüfung |
| 8838/03 |
1979-02-00 |
Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Typprüfung |
| 8838/06 |
1984-07-00 |
Elektronische Heimgeräte; Fernsehrundfunkempfänger; Sicherheitstechnische Forderungen für Arbeiten in Laboratorien, Werkstätten, Prüffeldern, an Prüf- und Reparaturplätzen |
| 9089 |
1979-11-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; Typ 2A mit Lötstiften, Hochvolt für gedruckte Schaltungen; Technische Bedingungen |
| 9100 |
1985-11-00 |
Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 635 (Baureihe 645 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter) und Baureihe 685 (Baureihe 695 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen |
| 9102 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Doppelpotientiometer), Baureihe 725 (Baureihe 735 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen |
| 9103 |
1982-03-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 575 und 605; Technische
Bedingungen |
| 9463 |
1986-01-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 351; Technische Bedingungen |
| 9467 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 353; Technische Bedingungen |
| 9468 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 354; Technische Bedingungen |
| 9479 |
1984-08-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 457; Technische Bedingungen |
| 9480 |
1988-11-00 |
Elektronenröhren; Sendetriode SRL 459; Technische Bedingungen |
| 10002 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A mit 2 Kontakten; Technische Bedingungen |
| 10003 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A 2 mit 11 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10004 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 2 x 6 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10005 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 4 x 3 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10006 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A bis 5 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10007 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 6 bis 9 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10008 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 10 bis 15 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10009 |
1980-03-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 16 bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10010 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 11 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10011 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10012 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10013 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 36 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10014 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10015 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10016 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 57 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10017 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10018 |
1985-12-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10118 |
1978-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 50/5 ö; technische Bedingungen |
| 10119 |
1978-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 60/10 ö; technische Bedingungen |
| 10128 |
1980-12-00 |
Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 125/30/50 ö; technische Bedingungen |
| 10395/01 |
1978-11-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 3 mm; Technische Bedingungen |
| 10395/02 |
1978-11-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 2,5 mm; Technische Bedingungen |
| 10790/02 |
1972-02-00 |
Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; zylindrisch mit Drahtanschluss dicht; Hauptkennwerte |
| 10793/02 |
1976-09-00 |
Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 2; zylindrisch mit axialen Drahtanschlüssen |
| 10793/03 |
1978-12-00 |
Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 3; prismatisch; Technische Bedingungen |
| 10822 |
1985-08-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 1A bis 12 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 10825 |
1978-04-00 |
Kontaktbauelemente; Drehschalter 1,5 A bis 8 Kontakte; Technische Bedingungen |
| 11054 |
|
OC 824 / OC 825 / OC 826 / OC 827 / OC 828 / OC 829 |
| 11055 |
|
O4A657 (Universal-Diodenquartett) |
| 11886 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Einstellbare Kohleschichtwiderstände in offener Bauform), Baureihe 585 und 595; technische Bedingungen |
| 11887 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 645 und 695; technische Bedingungen |
| 11901 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 735; technische Bedingungen |
| 11902 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände (Tandempotentiometer) der Baureihen 655 und 705; technische Bedingungen |
| 12216 |
|
Feste Schichtwiderstände (Festwertschichtwiderstände für den Einsatz bei hohen Frequenzen), Baureihe 33 (axiale Form, kappenlos, axial bedrahtet); technische Bedingungen |
| 12221 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Selengleichrichter in Freiflächenbauart, technische Bedingungen |
| 12536 |
|
OC 870 / OC 871 / OC 872 |
| 13782 |
|
SF 357 / SF 358 / SF 359 (siehe auch TGL 32651) |
| 14122/02 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB; Hochvolt; technische Bedingungen |
| 14281/03 |
1986-03-00 |
Thermistoren; Heißleiter; Heißleiter für Kompensationszwecke mit Drahtanschluss; technische Bedingungen |
| 14846 |
1984-12-00 |
Elektrische Nachrichtentechnik; Buchsenteile; 30-40/200 x 12 IP 00 |
| 14893 |
1987-07-00 |
Elektronenröhre, Empfängersperröhre HSE 952, technische Bedingungen |
| 14975 |
|
2 OA 646 |
| 14976 |
|
OA 722 / OA 723 |
| 14977 |
|
OA 647 / OA 666 |
| 14978 |
|
OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 |
| 14979 |
|
OA 605 (ZA 250/5; ZA 250/6; ZA 250/7; ZA 250/8; ZA 250/9) |
| 14980 |
|
OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903 |
| 23223/07 |
1989-03-00 |
Mechanische Frequenzfilter, Elektrochemische Bandfilter, Monolithische piezokeramische Bandfilter für Ton-ZF, 5,5 6,0 und 6,5 MHz, Technische Bedingungen |
| 24099/01 |
1972-09-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ IB, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte |
| 24099/02 |
1972-09-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ II, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte |
| 24100/03 |
1976-05-00 |
Keramik Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rechteckig, Qualitätskennziffern und Bewertung |
| 24101/02 |
1974-04-00 |
Keramik-Kleinkondensatoren, Durchführungskondensatoren mit Schraubbefestigung, Typ II, Hauptkennwerte |
| 24102/01 |
1976-04-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Technische Forderungen, Lieferung |
| 24102/02 |
1976-04-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Prüfung |
| 24165/14 |
1984-04-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher M4 FC 520, Technische Bedingungen |
| 24165/01 |
1979-06-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Allgemeine technische Bedingungen |
| 24165/05 |
1982-03-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVC 520, M 11 FVC 521, Technische Bedingungen |
| 24165/07 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-29, Technische Bedingungen |
| 24165/08 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-52, Technische Bedingungen |
| 24165/09 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-35, Technische Bedingungen |
| 24165/10 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 3-19, Technische Bedingungen |
| 24165/11 |
1985-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-19, Technische Bedingungen |
| 24165/12 |
1977-11-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typenreihe 10-30 |
| 24165/13 |
1977-12-00 |
Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVS 300, Technische Bedingungen |
| 24187 |
1969-12-00 |
Elektronenröhren, Impulsmagnetron HMI 954 |
| 24197/01 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Begriffe |
| 24197/02 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; technische Bedingungen |
| 24197/03 |
|
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Nenngröße |
| 24285 |
1989-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 170 und SY 171, Technische Bedingungen |
| 24341 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor SF 240, Technische Bedingungen |
| 24546 |
1982-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Schaltdioden, SAM 42 bis SAM 45, SAM 62 bis SAM 65, Technische Bedingungen |
| 24589/11 |
1981-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 1302, Technische Bedingungen |
| 24589/02 |
1981-09-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, Allgemeine technische Bedingungen |
| 24589/06 |
1986-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2001, Technische Bedingungen |
| 24589/07 |
1981-12-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 3601, Technische Bedingungen |
| 24589/08 |
1982-03-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2701, Technische Bedingungen |
| 24589/09 |
1982-05-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 1301, Technische Bedingungen |
| 24589/10 |
1981-09-00 |
Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 2703, Technische Bedingungen |
| 24683 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10 und 32/22, Anschlussnahme |
| 24685 |
1988-03-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10, Technische Bedingungen |
| 24687 |
1988-10-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 32/22, Technische Bedingungen |
| 24726 |
|
SF 245 |
| 24742 |
|
SM 103 / SM 104 |
| 24925 |
1979-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Klammergleichrichter, Technische Bedingungen |
| 24926 |
|
Selenblockgleichrichter im Metallgehäuse |
| 24927 |
|
Selenkleinstgleichrichter |
| 24928/01 |
1980-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Keramikrohr, Technische Bedingungen |
| 24928/02 |
1981-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Plastrahmen, Technische Bedingungen |
| 24931 |
1980-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Selen-Stabilisatoren, Technische Bedingungen |
| 24952 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren SSY 20 und SSY 21, Technische Bedingungen |
| 25180 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 1,6/ 9,7, Bajonettfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 25182 |
1987-12-00 |
Ultraschallverzögerungsleitungen 64 µs für Farbfernsehempfänger, Technische Bedingungen |
| 25184 |
|
SAY 12 / SAY 16 / SAY 17 / SAY 18 / SAY 20 |
| 25186 |
1985-07-00 |
Elektronenröhren, Endikon F 2,5 M 3 UR, Endikon F 2,5 M3 aUR, Technische Bedingungen |
| 25289 |
|
ST 121/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 23A) |
| 25603/02 |
1980-04-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 7/16, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 25604 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen |
| 25652 |
|
U 101 D |
| 25653 |
|
U 102 D |
| 25654 |
|
U 103 D |
| 25655 |
|
U 104 D |
| 25656 |
|
U 105 D |
| 25733 |
|
ST 111/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 13A) |
| 25734 |
|
SZ 600-Reihe (Silizium-Leistungs-Z-Diode) |
| 25763 |
|
SY 250/0,5 bis 10 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 250A) |
| 25916 |
|
SF 150 |
| 26152 |
|
D 100 D / E 100 D / D 110 D / E 110 D / D 120 D / E 120 D / D 130 D / E 130 D / D140 D / E 140 D |
| 26153 |
|
D 150 D / E 150 D / D 151 D / E 151 D / D 153 D / E 153 D / D 154 D / E154 D |
| 26154 |
|
Selenblockgleichrichter im Plastgehäuse |
| 26172 |
|
U 106 D |
| 26173 |
1978-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreis U 107 D, Technische Bedingungen |
| 26174 |
|
U 108 D |
| 26175 |
|
U 109 D |
| 26176 |
|
UB 880 D / VB 880 D / UA 880 D |
| 26177 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer statischer 5-Bit-Schiebe-Register-Schaltkreis U311 D, Technische Bedingungen |
| 26178 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Serienspeicherschaltkreis U 352 D, Technische Bedingungen |
| 26187 |
|
U 352 D (dynamischer 64-bit-Serienspeicher) |
| 26432 |
|
SMY 50 |
| 26525 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 8/28, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 26526/01 |
1981-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Wellenwiderstand 50 Ohm, Anschlussmaße |
| 26526/02 |
1981-05-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 26529 |
|
SMY 51 |
| 26530 |
|
SMY 52 |
| 26629 |
1977-12-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prismatisch, für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen, Typ II |
| 26713 |
|
B 460 G |
| 26818 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Schalttransistoren, SS 216, SS 218 und SS 219, Technische Bedingungen |
| 26819/1 |
|
SF 215 / SF 216 |
| 26820 |
|
SY 180 / SY 180A |
| 26838 |
1980-10-00 |
Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 11/39, 22/77, 34/120 Flanschfesthaltung, Wellenwiderstand 75 Anschlußmaße |
| 26906/01 |
1980-02-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Technische Bedingungen |
| 26906/02 |
1977-06-00 |
Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.2151; 490.2159; 490.2171; 490.0209 und 490.0211 |
| 26906/03 |
1977-06-00 |
Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.0408; 490.0409; 490.0411; 490.0413; 490.0415 und 490.0416 |
| 26915 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolitisch integrierte NAND-Schaltkreise K 158 LA 3, K 158 LA 4, K 158 LA 1 und K 158 LA 2 |
| 26980 |
1988-04-00 |
Festkondensatoren, Kunststofffolie-Kondensatoren, metallisiert, Polyester-Kondensatoren (MKT) für Gleichstrom Klasse 1 und Klasse 2, Allgemeine technische Bedingungen |
| 27141/1 |
|
SC 206 / SC 207 |
| 27143 |
|
SS 200 / SS 201 / SS 202 |
| 27144 |
1978-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren, SS 106, SS 108 und SS109, Technische Bedingungen |
| 27145 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 225, Technische Bedingungen |
| 27146 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 235, Technische Bedingungen |
| 27147 |
1978-10-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SC 236 bis SC 239, Technische Bedingungen |
| 27148 |
|
D 103 D / E 103 D / D 126 D / E 126 D / D 151 D / E 151 D / D 154 D / E 154 D / D 160D / E 160 D |
| 27231 |
1985-09-00 |
Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6,Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen |
| 27338 |
1985-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Z-Dioden, SZX 21/1, SZX 21/5,1 bis SZX 21/24, Technische Bedingungen |
| 27423 |
|
Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 513 und 523; technische Bedingungen |
| 27616/01 |
1985-06-00 |
Heimelektronik, Tonbandgeräte, Allgemeine technische Bedingungen |
| 27616/03 |
1985-08-00 |
Heimelektronik, Tonbandgeräte, Prüfung |
| 27617/03 |
1985-11-00 |
Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung |
| 27617/03 - 1. Änderung |
1988-02-10 |
Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung |
| 27874 |
|
Feste Schichtwiderständen (Festwertschichtwiderstände für hohe Nennverlustleistungen), Baureihe 81; technische Bedingungen |
| 27940 |
1981-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 455, Technische Bedingungen |
| 27975 |
|
SAL 41 / SAL 43 / SAL 45 (Schaltdioden) |
| 27977 |
|
D 172 D / E 172 D |
| 28109 |
|
A 281 D |
| 28220 |
|
ST 103 |
| 28364 |
1989-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Schalterdiode SA 412; Technische Bedingungen |
| 28462 |
|
D 200 D / D 210 D / D 220 D / D 230 D |
| 28466 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 181 C / E 181 D und S 181 D; Technische Bedingungen |
| 28467 |
1981 |
D 195 D / E 195 D |
| 28468 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 191 C, D 191 D, E 191 C und E 191 D; Technische Bedingungen |
| 28597 |
1973-09-00 |
Elektrische Informationstechnik; Steckverbinder 12-26/19,6-38x13 IP00; Griffschalen, Streckplatten, Bügel |
| 28660/01 |
1987-05-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Allgemeine technische Bedingungen |
| 28660/02 |
1977-06-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Forderungen für HiFi-UKW-Empfangsteile |
| 28660/03 |
1982-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten-Abspieleinrichtungen |
| 28660/04 |
1987-05-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Tonbandgeräte |
| 28660/05 |
1985-04-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für NF-Verstärker |
| 28660/06 |
1980-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Gehäuselautsprecher, Einbaulautsprecher, Technische Forderungen, Mess- und Prüfmethoden |
| 28660/11 |
1982-12-00 |
Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten- Abtastsysteme |
| 28813 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NAND-Schaltkreise D 200 C, D 210 C, D 220 C, D 230C, D 200 D, D 210 D, D 220 D und D 230 D; Technische Bedingungen |
| 28814 |
|
D 240 D |
| 28815 |
|
D 251 D |
| 28816 |
|
D 274 D |
| 28818 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichterdioden SY 320; Technische Bedingungen |
| 28873 |
1981 |
A 109 D / B 109 D |
| 28874 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Komparator- Schaltkreise A 110 D und B 110 D; Technische Bedingungen |
| 29053 |
1981 |
SA 418 |
| 29107 |
|
A 211 D |
| 29108 |
1984 |
A 281 D |
| 29247 |
1989-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Schaltdiode SA 403; Technische Bedingungen |
| 29263 |
1981 |
D 204 D |
| 29264 |
1981 |
D 254 D |
| 29265 |
1981-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 146 C, D 147 C, E 147 C, D 146 D, D 147 D und E 147 D; Technische Bedingungen |
| 29266 |
|
D 174 D / E 174 D |
| 29267 |
1981-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 192 C, D 192 D, E 192 C, E 192 D, D 193 C, D 193 D, E 193 C und E 193 D; Technische Bedingungen |
| 29363 |
|
D 201 D / D 204 D |
| 29364 |
|
D 254 D |
| 29270 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichter in Freiflächenbauart mit SY 170, SY 171 |
| 29330 |
1975-02-00 |
Mikroelektronik; Monolithischer Integrierter Leseverstärker-Schaltkreis D122 C und D 123 C |
| 29331/01 |
1984-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 7-90-48-128 x 13; Technische Bedingungen |
| 29331/02 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Verteilerleisten 30-87/88 x 9,5 |
| 29331/03 |
1988-02-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 15-90/88-128 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/04 |
1977-12-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/04 - 1. Änderung |
1983-03-31 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/05 |
1988-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Montageleisten 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/06 |
1977-05-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5,;Technische Bedingungen |
| 29331/06 - 1. Änderung |
1983-03-31 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/07 |
1977-09-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen |
| 29331/08 |
1983-05-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Zubehörteile, Technische Bedingungen |
| 29331/09 |
1978-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Hilfswerkzeuge, Technische Bedingungen |
| 29331/12 |
1982-10-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 4-6/12,5 x 7,5, Technische Bedingungen |
| 29331/13 |
1979-08-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 44/88 x 13,5, Technische Bedingungen |
| 29331/14 |
1987-03-00 |
Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 41/88 x 13,5, Technische Bedingungen |
| 29475 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch integrierte AND-NOR-Schaltkreise K 158 LR 1 und K 158 LR (ältere Ausgabe) |
| 29475 |
1981 |
E 126 D (jüngere Ausgabe (Fkt. Ident.) |
| 29509 |
|
SA 418 |
| 29954 |
|
ST 108 |
| 29955 |
|
VK 11 / VK 12 / VK 15 |
| 29958 |
|
U 821 D (Rechnerschaltkreis) |
| 29969 |
1979-10-00 |
Halbleiterbauelemente; SI- Fotodioden SP 101 bis SP 103; Technische Bedingungen |
| 31243 |
|
VQA 12 |
| 31245 |
1979-10-00 |
Halbleiterbauelemente. Lichtemitteranzeigen VQB 71, VQB 73. Technische Bedingungen |
| 31281/01 |
1975-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Begriffe, Technische Forderungen, Lieferung |
| 31281/02 |
1975-12-00 |
Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Prüfung |
| 31296 |
1986 |
SU 160 |
| 31298 |
1982-01-00 |
Halbleitebauelemente. Infrarotemitterdiode VQ 110. Technische Bedingungen |
| 31299 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Programmwahlschalkreis U 700 D; Technische Bedingungen |
| 31427/01 |
1976-04-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6 |
| 31427/01 - 1. Änderung |
1984-04-26 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6 |
| 31427/02 |
1976-04-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2 |
| 31427/02 - 1. Änderung |
1980-01-31 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2 |
| 31427/03 |
1978-08-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Griffelemente, Technische Bedingungen |
| 31428 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21; Technische Bedingungen |
| 31428/01 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Anschlussmaße |
| 31428/02 |
1975-12-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Hauptkennwerte |
| 31429 |
1975-12-00 |
Festkondensatoren. Polyester - Kondensatoren zentrisch axial. Hauptkennwerte |
| 31453 |
|
A 220 D |
| 31456 |
|
A 205 D / A 205 K |
| 31457 |
|
A 230 D |
| 31459 |
|
A 240 D |
| 31461 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise A 301 D und A 301 W; Technische Bedingungen |
| 31462 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise D 491 D und D 492 W; Technische Bedingungen |
| 31463 |
|
A 250 D |
| 31685 |
|
SU 165 (Si-npn-Leistungsschalttransistor) |
| 31905 |
|
SY 330 |
| 31906 |
|
SY 335 |
| 31053 |
|
U 705 D |
| 32054 |
1977-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 711 D; Technische Bedingungen |
| 32055 |
1978-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 121 D und U 122 D; Technische Bedingungen |
| 32056 |
|
U 710 D |
| 32058 |
1978-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise. Unipolarer Mikroprozessor-Schaltkreis U 808 D. technische Bedingungen |
| 32060 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise;Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 253; Technische Bedingungen |
| 32114 |
1982-01-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 101; Technische Bedingungen |
| 32115 |
|
SP 201 |
| 32116 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Fototransistor SP 211; Technische Bedingungen |
| 32339 |
|
SAY 73 |
| 32414 |
1987-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände; Dickfilmschaltkreise Baureihe 483; Technische Bedingungen |
| 32422 |
1984-03-00 |
Kontaktbauelemente; Miniaturdrehschalter für starre Leiterplatten; Technische Bedingungen |
| 32441 |
1983-10-00 |
Elektrische Informationstechnik; Relais mit Schutzrohrkontaktsystemen RGK 20/1 und RGK 20/2 |
| 32442 |
1976-12-00 |
Elektrische Informationstechnik. Neutrales elektromagnetisches Relais GBR 111 |
| 32533 |
1978-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Frequenzteilerschaltkreis U 112 D; Technische Bedingungen |
| 32537 |
1988 |
A 302 D |
| 32648 |
1984 |
E 104 D, E 108 D |
| 32649 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch integrierter J-L-Flip-Flop-Schaltkreis K 158 TW 1 |
| 32650 |
1987 |
A 244 D |
| 32651 |
1984 |
SF 357 / SF 358 / SF 359 |
| 32874 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U551D; Technische Bedingungen |
| 32944 |
|
SMY 60 (Si-Doppel-MOS-FET vom p-Kanal-Anreicherungstyp) |
| 32988 |
|
VQA 13 (TGL ersetzt durch 38468) |
| 32989 |
1979-03-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteanzeige VQB 37; Technische Bedingungen |
| 32990 |
|
SY 185 |
| 33015 |
|
U 111 D |
| 33554 |
|
SU 161 (Si-npn-Leistungsschalttransistor) |
| 33555 |
|
SD 168 |
| 33965 |
|
Kunststofffolie-Kondensatoren, prismatisch; technische Bedingungen |
| 34064 |
1987-06-00 |
Feste uns mechanische veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 583 und 593; Technische Bedingungen |
| 34151 |
1977-04-00 |
Halbleiterbauelemente. Tunneldioden AI 301 A, B, W, G. Technische Bedingungen |
| 34158 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium - Dual - Gate - MOS - Feldeffekttransistoren KP 306 A, B, W; Technische Bedingungen |
| 34160 |
1983-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber- Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen |
| 34160 - 1. Änderung |
1987-04-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber-Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen |
| 34163 |
|
KT 805 |
| 34164 |
|
KT 326 |
| 34166 |
|
KT 802 |
| 34167 |
1977-12-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium - Sperrschicht - Feldeffekttransistoren KP 303 A, B, W, G, D, E, SH, I; Technische Bedingungen |
| 34168 |
1984 |
A 290 D |
| 34169 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolare NAND-Schaltkreise K 1 LB 553, K 1 LB 554, K 1 LB 551, K 1 LB 552 und K 1 LB 556 (neue Bezeichnung: K155LB3, K155LB4, K155LB1, K155LB2, K155LB6) |
| 34170 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolare AND-NOR-Schaltkreise K 1 LR 551 und K 1 LR 553 (neue Bezeichnung: K155LR1, K155LR3) |
| 34171 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolaren Expander-Schaltkreis K 1 LP 551 (neue Bezeichnung: K155LP1) |
| 34172 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 551 (neue Bezeichnung: K155TK1) |
| 34173 |
1976-12-00 |
Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 552 (neue Bezeichnung: K155TK2) |
| 34177 |
|
KT 803 |
| 34701 |
1989 |
SP 104 |
| 34766 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 30; Technische Bedingungen |
| 34815 |
1982-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U 505 D; Technische Bedingungen |
| 34816 |
1986-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 15; Technische Bedingungen |
| 34817 |
|
VQA 23 (ersetzt durch TGL 38468) |
| 34818 |
|
VQA 33 (ersetzt durch TGL 38468) |
| 34827 |
|
KT 911 |
| 34830 |
|
KT 904 |
| 34831 |
|
KT 603 |
| 35149 |
1977-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Monolithischer Bipolarer Ton- ZF- Verstärker- Schaltkreis A 223 D; Technische Bedingungen |
| 35151 |
|
A 231 D |
| 35169 |
1977-10-00 |
Kontaktbauelemente. Steckverbinder 4-9/34,5-46,5 x 28 |
| 35170 |
1988-04-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 110; Technische Bedingungen |
| 35171 |
1988-04-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 111; Technische Bedingungen |
| 35172 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Infrarotemitterdiode VQ 120; Technische Bedingungen |
| 35199 |
|
KT 203 |
| 35200 |
1986-08-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-pnp-NF-Transistoren KT 209, A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M; Technische Bedingungen |
| 35201 |
|
KT 501 |
| 35202 |
|
KT 368 |
| 35204 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterbauelemente; 4 MHz-Uhrenschaltkreis U 114 D und U 124 D; Technische Bedingungen |
| 35274/01 |
1978-05-00 |
Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen an Lötfahnen |
| 35274/02 |
1978-05-00 |
Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen auf bestückten Leiterplatten |
| 35274/03 |
1987-10-00 |
Elektrotechnik; Handlöten; Verfahren zum Weichlöten an Lötanschlüssen |
| 35333 |
1979-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Statischer Lese-Schreib-Speicher U 202 D; Technische Bedingungen |
| 35334 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Teilerschaltkreis D 351 D und E 351 D; Technische Bedingungen |
| 35335 |
1981-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Zeitschaltkreise D 355 D, E 355 D und E 356 D; Technische Bedingungen |
| 35336 |
|
D 461 D |
| 35404 |
|
KT 363 |
| 35405 |
|
KT 345 |
| 35406 |
|
KT 347 |
| 35407 |
|
KT 920 |
| 35408 |
|
KT 922 |
| 35409 |
|
KT 925 |
| 35515 |
|
B 340 D / B 341 D |
| 35555 |
1984 |
B 222 D |
| 35765 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Lautstärke- und Balance-Einstell-Schaltkreis A 273 D; Technische Bedingungen |
| 35766 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Höhen- und Tiefeneinstell- Schaltkreis A 274 D; Technische Bedingungen |
| 35767 |
1988 |
A 202 D |
| 35775 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 194; Technische Bedingungen |
| 35776 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 402; Technische Bedingungen |
| 35777 |
1980-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 412; Technische Bedingungen |
| 35778 |
1982-10-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 84.5; Technische Bedingungen |
| 35779 |
1980-09-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 552; Technische Bedingungen |
| 35780 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ IB; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen |
| 35781 |
1979-12-00 |
Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ II; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen |
| 35797 |
1985-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 209 K, A 210 E, A 210 E2, A 210 K, A 210 K2; Technische Bedingungen |
| 35798 |
1986-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 225 D; Technische Bedingungen |
| 35799 |
|
SY 360 |
| 35833 |
1978-12-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-Dual-Gate Mos-Feldefekt-Transistoren KP 350 A, B, W; Technische Bedingungen |
| 35835 |
|
KT 371 |
| 35836 |
|
KT 372 |
| 35837 |
|
UB 855 D / VB 855 D / UA 855 D |
| 35838 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer UV-löschbarer Festwertspeicher-Schaltkreis U 552 C; Technische Bedingungen (U855D ?) |
| 35866 |
1980-03-00 |
Rotierende elektrische Maschinen; Gleichstrom-Kleinstmotor permanenterregt mit genutztem Läufer; Typ 1223.3 |
| 35869 |
1979-06-00 |
Rotierende elektrische Maschinen; Gehäusemotoren für Kassetten-Heimbandgeräte; Typen 1120.5 und 1120.5/1 |
| 35950 |
|
U 706 D |
| 36076 |
1983-05-00 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 20.1 |
| 36083 |
1979-03-00 |
Bestückte Leiterplatten; Schwalllöten |
| 36369 |
1979-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 32, VQD 32-2; Technische Bedingungen |
| 36370 |
1986-07-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF- Transistoren KT 382, A, B, AM, BM; Technische Bedingungen |
| 36371 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 704, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36372 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 809 A; Technische Bedingungen |
| 36373 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 812, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36374 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 913, A, B, W; Technische Bedingungen |
| 36375 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 918, A, B; Technische Bedingungen |
| 36376 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 919, A, B, W, G; Technische Bedingungen |
| 36377 |
1979-06-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 926, A, B; Technische Bedingungen |
| 36515 |
1979-12-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7 - 0350; Technische Bedingungen |
| 36516 |
979-12-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800/1/2 Technische Bedingungen |
| 36516 - 1. Änderung |
1982-08-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800. Technische Bedingungen |
| 36521 |
1982-08-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 23; Technische Bedingungen |
| 36523 |
1986-04-00 |
Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen |
| 36523 - 1. Änderung |
1988-08-15 |
Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen |
| 36608 |
1986-04-00 |
Halbleiterbauelemente; Siliciumgleichrichterdioden SY 345; Technische Bedingungen |
| 36609 |
1985-06-00 |
Halbleiterbauelemente; optoelektronische Koppler MB 104/4, MB 104/5, MB 104/6; Technische Bedingungen |
| 36664 |
1980-09-00 |
Kontaktbauelemente; Steckverbinder 20/60; Technische Bedingungen |
| 36665 |
1989-09-00 |
Kontaktbauelemente; Fassungen für integrierte Schaltkreise; Fassung 18-48/24,5-63 x 19,9; Technische Bedingungen |
| 36737 |
1984-09-00 |
Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen |
| 36737 - 1. Änderung |
32766 |
Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen |
| 36740 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-MOS-Feldeffekttransistoren KP 305 D, E, Sh, I; Technische Bedingungen |
| 37001 |
|
UB 856 D / VB 856 D / UA 856 D |
| 37002 |
|
UB 857 D / VB 857 D / UA 857 D |
| 37003 |
|
UB 858 D / UA 858 D |
| 37019 |
1987-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Kurzschlussfester Treiber-Schaltkreis E 435 E; Technische Bedingungen |
| 37025 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L; Technische Bedingungen |
| 37026 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 816 A, B, W, G; Technische Bedingungen |
| 37027 |
|
KT 502 |
| 37028 |
1980-01-00 |
Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 630 A, B, W, G, D, E; Technische Bedingungen |
| 37029 |
|
UB 8563 D / VB 8563 D / UA 8563 D |
| 37203 |
1989-07-00 |
Kontaktbauelemente; Flachsteckverbinder 1-18/5-90 x 4; Technische Bedingungen |
| 37212 |
1982-04-00 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2 |
| 37212 - 1. Änderung |
1985-10-09 |
Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2 |
| 37359 |
|
UB 8860 M / UB 8861 M |
| 37360 |
|
UB 8810 D / UB 8811 D |
| 37370 |
|
KT 382 A, B, AM/BM |
| 37512 |
|
D 410 D |
| 37513 |
|
B 308 D / B 318 D |
| 37514 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schaltnetzteile B 260 D; Technische Bedingungen |
| 37518 |
1982-09-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-Leitungsschalttransistoren SU 167 und SU 169; Technische Bedingungen |
| 37558 |
|
KT 503 |
| 37559 |
1986-08-00 |
Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF-Transistoren KT 640, A-2- B-2, W-2; Technische Bedingungen |
| 37560 |
|
KT 814 |
| 37562 |
1986-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Vier-Bit-Binär-Dezimaldekoder-Schaltkreis K 155 ID3; Technische Bedingungen |
| 37609 |
1988 |
MB 104 |
| 37634 |
1981-12-00 |
Festkondensatoren; Polypropylen- Kondensatoren zentrisch-axial; Technische Bedingungen |
| 37787 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen |
| 37787 - 1. Änderung |
1989-01-04 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen |
| 37788 |
|
U 830 D |
| 37791 |
|
U 834 D |
| 37871 |
|
SC 307 / SC 308 / SC 309 |
| 37872 |
|
KT 815 |
| 37873 |
|
KT 817 |
| 37903 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen |
| 37903 - 1. Änderung |
1988-10-16 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen |
| 37905 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 25; Technische Bedingungen |
| 37906 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 35; Technische Bedingungen |
| 37911 |
1983-12-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 121; Technische Bedingungen (prismatische Bauform, einseitige Anschlussbedrahtung) |
| 37960 |
|
KT 934 |
| 37961 |
|
KT 818 |
| 37962 |
|
KT 819 |
| 38005 |
|
U 202 DA |
| 38007 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer RGB-Matrix-Schaltkreis, A232D, Technische Bedingungen |
| 38008 |
1982 |
B 654 D |
| 38009 |
1985 |
A 255 D |
| 38011 |
1981-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer LED-Ansteuerschaltkreis, A277D, Technische Bedingungen |
| 38012 |
1980-11-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Empfänger-Schaltkreis, A283D, Technische Bedingungen |
| 38013 |
1982-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittmotoren D394D, Technische Bedingungen |
| 38014 |
|
C 520 D |
| 38015 |
1986-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise, Bildung der Typebezeichnungen und Gestaltung der Typenkennzeichnung |
| 38021 |
1980-11-00 |
Halbleiterbauelemente, npn-Transistor mit hoher Sperrspannung, SF 369, Technische Bedingungen |
| 38031 |
1982-04-00 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2 |
| 38031 - 1. Änderung |
1984-03-27 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2 |
| 38145 |
1981-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Seilen- Blitzschutzdioden BD1 und BD2, Technische Bedingungen |
| 38158 |
1983-11-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Prismatisch stehende Ausführung, Technische Bedingungen |
| 38159 |
1982-06-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Zylindrisch, zentralisch-axial, Technische Bedingungen |
| 38198 |
1989-09-00 |
Kontaktbauelemente, Knöpfe für Tastenschalter |
| 38221 |
1982-04-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für Tonfrequenzen bis 50 kHz, Niedervolt, axiale Ausführung, Typ IIA, Technische Bedingungen |
| 38282 |
1982-05-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 55, Technische Bedingungen |
| 38283 |
1982-05-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 45, Technische Bedingungen |
| 38378 |
1987-09-00 |
Mechanische Frequenzfilter, Elektromechanischer Frequenzfilter MF 200-0900/7, Technische Bedingungen |
| 38454 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, axial Anschlüsse Niedervolt, Typ I A, technische Bedingungen |
| 38455 |
1983-11-00 |
Kontaktbauelemente. Steckverbinder 8-Polig. Technische Bedingungen |
| 38462 |
1981 |
SCE 237 / SCE 238 / SCE 239 |
| 38463 |
1984 |
SFE 235 |
| 38464 |
1984 |
SFE 245 |
| 38465 |
1988 |
SSE 216 / SSE 219 |
| 38466 |
|
SY 351 |
| 38467 |
1983-04-00 |
Flüssigkristallbauelemente. Flüssigkristallanzeigen. Hauptmaße |
| 38468 |
|
VQA 10 / VQA 13 / VQA 13-1 / VQA 23 / VQA 33 |
| 38469 |
1982-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigeeinheit, VQC10, Technische Bedingungen |
| 38470 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdiodenreihe VQF10-1, Technische Bedingungen |
| 38461 |
1981-05-00 |
Elektronenröhren, Magnetron HMD 244, Technische Bedingungen |
| 38467 |
1983-04-00 |
Flüssigkristallelemente, Flüssigkristallanzeigen, Hauptmaße |
| 38468 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA10, VQA13, VQA13-1, VQA23, VQA33, Technische Bedingungen |
| 38469 |
|
VQC 10 |
| 38518 |
1981-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer programmierbarer Triac-, Thyristor- und Transistor-Ansteuer-Schaltkreis U708D, Technische Bedingungen |
| 38519 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer LCD-Ansteuer-Schaltkreis U714 PC, Technische Bedingungen |
| 38520 |
|
U 806 D |
| 38521 |
1989-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Fernbedienungs-Sender-Schaltkreis U807DC, Technische Bedingungen |
| 38524 |
1982-04-00 |
Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKV Zylindrisch, Technische Bedingungen |
| 38525 |
1988-06-00 |
Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKP Zylindrisch, Technische Bedingungen |
| 38529 |
1987-10-00 |
Festkondensatoren, Keramik-Scheibenkondensatoren, rund mit Kleinstwertkapazitäten, Klasse 1 Nenngleichspannung 100 V, Technische Bedingungen |
| 38530 |
1986-10-00 |
Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren KS radial, Technische Bedingungen |
| 38532 |
1988-03-00 |
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten, Feste Chipwiderstände, Nenngröße 315.1206, Technische Bedingungen |
| 38518 |
|
U 708 D |
| 38567 |
|
SP 105 |
| 38584 |
|
Metallisierte Polypropylen-Kondensatoren MKPI. Zylindrisch; technische Bedingungen |
| 38590 |
1982-04-00 |
Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren, Nennspannung 160V, Technische Bedingungen |
| 38593 |
1982-10-00 |
Festkondensatoren, Funk-Entstörkondensatoren, 250 V Nennwechselspannung, Klasse y, Mischdielektrikum, technische Bedingungen |
| 38603 |
1982-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 173, Technische Bedingungen |
| 38604 |
1982-06-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 183, Technische Bedingungen |
| 38605 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreise, V4001D, V4011D, V4012D, V4023D, V4030D, Technische
Bedingungen |
| 38607 |
|
UB 8830 D / UB 8831 D |
| 38657 |
1981-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Inverter-Schaltkreise, D104D, E104D und Bipolare AND-Schaltkreise D108D, E108D, Technische Bedingungen |
| 38658 |
|
B 451 G / B452 G / B 453 G / B 461 G / B 462 G |
| 38675 |
1982-10-00 |
Festkondensatoren, Metallisierte Polyesterkondensatoren MKT3, Prismatisch, Technische Bedingungen |
| 38679 |
1981-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorteile L110C, Technische Bedingungen |
| 38690 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U256C und U256D, Technische Bedingungen |
| 38691 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V40098D, Technische Bedingungen |
| 38692 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise,
Schmitt-Trigger-Schaltkreise V4093D, Technische Bedingungen |
| 38693 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Decoder-Schaltkreis V40511D, technische Bedingungen |
| 38694 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V4050D, Technische Bedingungen |
| 38739 |
|
KT 391 |
| 38740 |
|
KT 313 |
| 38748 |
1985-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA60, VQA70, VQA80, Technische Bedingungen |
| 38799 |
|
KT 117 |
| 38908 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit axialen Anschlussdrähten, Niedervolt; technische Bedingungen |
| 38925 |
1982-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Operationsverstärkerschaltkreise, B611D, B615D, B621D, B625D, B631D, B635D, B761D, B765D, B861D, B865D, B2761D, B2765D, B4761D und B4765D, Technische Bedingungen |
| 38928 |
1987-04-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit einseitigen Anschlussdrähten, Niedervolt, Technische Bedingungen |
| 38929 |
1982-04-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen |
| 38929 - 1. Änderung |
1985-12-20 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen |
| 38965 |
|
TANTAL-Festkörper-Kondensatoren, tropfenförmig, technische Bedingungen |
| 38979 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B176D und B177D, technische Bedingungen |
| 38995 |
1983-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Lese-Schreib-Speicher-Schaltkreis, U215D, U215D1, U225D, U225D1, Technische Bedingungen |
| 38996 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4013D, V4027D, Technische Bedingungen |
| 38997 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4015D, V4028D, Technische Bedingungen |
| 38998 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4035D, Technische Bedingungen |
| 38999 |
1984-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4042D, Technische Bedingungen |
| 39000 |
1982-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kurzschlussfester Treiberschaltkreis E412D, Technische Bedingungen |
| 39001 |
1982-05-00 |
HalbleiterBauelemente, Silizium-pnp-Hochfrequenz Transistoren SF 116 bis SF 119, Technische Bedingungen |
| 39013 |
1982-08-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, prismatisch, Technische Bedingungen |
| 39014 |
1984-07-00 |
Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 795 und 805, Technische Bedingungen |
| 39121 |
1981-12-00 |
Elektronenröhren. Endikon F 2,5 M 51 A , Endikon F 2,5 M 51 B. Technische Bedingungen |
| 39123 |
1984-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD335, SD337, SD339, pnp-SD336, SD338, SD340, Technische Bedingungen |
| 39125 |
1984-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD345, SD347, SD349, pnp-SD346, SD348, SD350, Technische Bedingungen |
| 39352 |
1983-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteanzeigen, VQE21 bis VQE24, Technische Bedingungen |
| 39353 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA18, VQA28, VQA38, Technische Bedingungen |
| 39358 |
1981-12-00 |
Rechentechnik. Elektronischer Taschenrechner. MR 412 und MR 609. Technische Bedingungen |
| 39402 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker K140UD7, Technische Bedingungen |
| 39422 |
1987-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA14, VQA24, VQA34, Technische Bedingungen |
| 39490 |
1988-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B 080 D / B 081 D / B 082 D / B 083 D / B 084 D B080D/Dm/Dp/Dt bis B084D/Dm/Dp/Dt, Technische Bedingungen |
| 39609 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise, A2030H und A2030V, Technische Bindungen |
| 39681 |
|
Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, Becher mit Schraubanschlüssen, Niedervolt; technische Bedingungen |
| 39700 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 130, technische Bedingungen |
| 39701 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 104, technische Bedingungen |
| 39704 |
1985-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsregler-Schaltkreise, B3170V, B3171V, B3370V und B3371V, Technische Bedingungen |
| 39705 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise B060D, B061D, B062D, B064D und B066D, Technische Bedingungen |
| 39722 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA16, VQA26, VQA 36, VQA 46, Technische Bedingungen |
| 39723 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA17, VQA27, VQA 37, VQA 47, Technische Bedingungen |
| 39724 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA19, VQA29, VQA 39, VQA 49, Technische Bedingungen |
| 39797 |
1984-07-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR09A, FAT09A, FAS09A, Technische Bedingungen |
| 39798 |
1984-04-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR13A, FAT13A, FAS13A, FAR19A, FAT19A, FAS19A, Technische Bedingungen |
| 39799 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare 4-BIT Latch-Schaltkreise D175D, Technische Bedingungen |
| 39800 |
1983-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Monostabile Multivibrator-Schaltkreise D121D und E121D, Technische Bedingungen |
| 39865 |
1988-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Low-Power-Schottky-TTL-Schaltkreise, DL000D, DL002D, DL003D, DL004D, DL008D, DL010D, DL011D, DL020D, DL021D, DL026D, DL030D, DL074D, Technische Bedingungen |
| 39866 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Interface-Schaltkreis, DS8205D, Technische Bedingungen |
| 39891 |
1984 |
SU 180 |
| 39894 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leistungs-NAND-Schaltkreise, DL037D, DL038D und DL040D, Technische Bedingungen |
| 39917 |
1986-07-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 8/25, Technische Bedingungen |
| 39934 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittantriebe D395D, Technische Bedingungen |
| 42047 |
1982-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 121, technische Bedingungen |
| 42070 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-npn-Transistorarray-Schaltkreise B315D, B315E, B315K, B325D, B325E, B325K, B360D, B360E, B360K, B380D, B380E, B380K, technische Bedingungen |
| 42071 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Pal-Dekoder-Schaltkreis A3510D, technische Bedingungen |
| 42072 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Secam-Dekoder-Schaltkreis A3520D, technische Bedingungen |
| 42073 |
1985-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Video-Kombinations-Schaltkreis A3501D, technische Bedingungen |
| 42074 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kommutator-Schaltkreis B390D, technische Bedingungen |
| 42075 |
1983-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare BCD-zu-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D345D bis D348D, D346D1, D348D1 und E345D bis E348D, technische Bedingungen |
| 42076 |
1986 |
SU 186 / SU 187 / SU 188 |
| 42101 |
|
L 211 C |
| 42102 |
1987-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA101, VQA201 VQA301, technische Bedingungen |
| 42170 |
1986-05-00 |
HalbleiteBauelemente, Lichtemitteranzeige VQB 200 und VQB 201, Technische Bedingungen |
| 42171 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreis K 153 UD5, Technische Bedingungen |
| 42172 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-fach 4:1 Datenselektor/Multiplexer Schaltkreis K 155 KP2, Technische Bedingungen |
| 42173 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Exklusiv-ODER-Gatter-Schaltkreis K 155 LP5, Technische Bedingungen |
| 42174 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schaltkreis Typgruppen K 589, Technische Bedingungen |
| 42175 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis K 155 IM3, Technische Bedingungen |
| 42177 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungstransistor KT 945 B, Technische Bedingungen |
| 42178 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 837 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M, N, P, R, S, T, U, F, Technische Bedingungen |
| 42180 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 827 A, B, W, Technische Bedingungen |
| 42181 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-pnp-UHF-Transistor kleiner Leistung KT 3109 A, B, W, Technische Bedingungen |
| 42219 |
|
SY 356 |
| 42222 |
|
U 214 D 20 / U 214 D 30 / U 214 D 45 |
| 42231 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 215, Technische Bedingungen |
| 42232 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher U 214 D45, U 214 D30 und U214 D20, Technische Bedingungen |
| 42233 |
1986-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher US 224 D20, U 224 D30 und UH 224 D30, UL 224 D30 und VL 224 D20 Technische Bedingungen(US 224 D 20; US 224 D 30; VL 224 D 20; VL 224 D 30; UL 224 D 20; UL 224 D 30)
|
| 42234 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U 2164 C20, U 2164 C20/1 und U 2164 C25, Technische Bedingungen |
| 42234 |
|
( U 84 C 30 DC) |
| 42236 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchiprechnerschaltkreise U8047 PB und U 8047 PG, Technische Bedingungen |
| 42254 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 123, technische Bedingungen |
| 42255 |
1984-12-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 102, technische Bedingungen |
| 42259 |
1984-01-00 |
Elektrische Informationstechnik, Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 7, Grundausführung |
| 42283 |
1984-04-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR11A, FAT11A, FAS11A, Technische Bedingungen |
| 42358 |
1984 |
SC 116 / SC 117 / SC 118 / SC 119 |
| 42421 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Invertierender Bidirektional-Bus-Treiber, Schaltkreis K 589 AP26, technische Bedingungen |
| 42423 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-pnp-NF-Leistungstransistoren, KT 825 G, D, E, Technische Bedingungen |
| 42424 |
1984-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Gehäuseloser Silicium-pnp-SHF-Leistungstransistoren, KT 3101 A-2, Technische Bedingungen |
| 42426 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronische Koppler MB 130 bis MB 135, Technische Bedingungen |
| 42466 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-Zeitgeber-Schaltkreis B556 D, Technische Bedingungen |
| 42467 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Initiatorschaltkreise B303 D, B304D, B305 D und B306D, Technische Bedingungen |
| 42577 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Blinkgeberschaltkreis E310 D, Technische Bedingungen |
| 42578 |
1984-04-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Leistungsoperationsverstärker-Schaltkreis B165 D, B165 V, B165 H1, B165 V1, Technische Bedingungen |
| 42561 |
|
U 61256 DC |
| 42562 |
|
U 4548 DC |
| 42563 |
|
U 6264 DG |
| 42577 |
1986 |
E 310 D |
| 42591 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeige MQC 11, Technische Bedingungen |
| 42622 |
1984-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8216D, DS 8286D und DS 8287D, Technische Bedingungen |
| 42623 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8212D, DS 8282D und DS 8283D, Technische Bedingungen |
| 42624 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Ton-ZF-Verstärkerschaltkreis A224D, Technische Bedingungen |
| 42628 |
|
V 4007 |
| 42629 |
|
V 4027 D; V 4029 D |
| 42630 |
|
V 4034 D |
| 42631 |
|
V 4017 D |
| 42632 |
|
V 4019 D; V 4023 D; V 4048 D; |
| 42633 |
|
V 4044 D |
| 42634 |
|
UB 8840 M / UB 8841 M |
| 42635 |
|
UL 7211 D |
| 42638 |
|
UP 7211 D |
| 42639 |
|
UB 8820 M / UB 8821 M |
| 42643/01 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Baureihe U 74HCT |
| 42643/02 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT00 DK |
| 42643/03 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT02DK |
| 42643/04 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT04DK |
| 42643/05 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT86DK |
| 42643/06 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT74DK |
| 42643/07 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT374DK; U 74HCT534DK |
| 42643/08 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Decoder/Demultiplexer U 74HCT138DK |
| 42643/09 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Transceiver U 74HCT242DK; U 74HCT243DK |
| 42643/10 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Latch U 74HCT373DK; U 74HCT533DK |
| 42643/11 |
|
U 74HCT08DK |
| 42643/12 |
|
U 74HCT20DK |
| 42643/13 |
|
U 74HCT21DK |
| 42643/14 |
|
U 74HCT32DK |
| 42643/15 |
|
U 74HCT175DK |
| 42643/16 |
|
U 74HCT192DK |
| 42643/17 |
|
U 74HCT193DK |
| 42643/18 |
|
U 74HCT241DK |
| 42643/19 |
|
U 74HCT245DK |
| 42643/20 |
|
U 74HCT253DK |
| 42643/21 |
|
U 74HCT257DK |
| 42643/22 |
|
U 74HCT03DK |
| 42644 |
|
U 84 C 40 DC / U 84 41 DC |
| 42649 |
|
U 84 C 20 DC |
| 42653 |
|
U84 C 00 DC |
| 42662 |
|
U 192 D |
| 42663 |
|
U 1056 D (U 1159DC nur Werkstandard: MDS 106) |
| 42699/01 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1 |
| 42699/01 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1 |
| 42699/02 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1 |
| 42699/02 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1 |
| 42699/03 |
1984-10-00 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1 |
| 42699/03 - 1. Änderung |
1987-03-17 |
Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1 |
| 42737 |
1985-07-00 |
Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 11, GBR 12, GBR 13, Grundausführung |
| 42739 |
1987-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Diodenmodule MDD 16, MDD 25, MDD 40 und MDD 63, Technische Bedingungen |
| 42767 |
1985-07-00 |
Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 604 und 614, Technische Bedingungen |
| 42769 |
|
Keramische Vielschicht-Chip-Kondensatoren (KEVC) bis 200 V Nennspannung; allgemeine technische Bedingungen |
| 42777 |
1985-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungsschalttransistoren SU 189 und SU 190, technische Bedingungen |
| 42778 |
1987 |
SU 377 / SU 378 / SU 379 / SU 380 |
| 42779 |
1986-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungstransistor SU 111, technische Bedingungen |
| 42789 |
1988-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer NF-Stereo-Steller-Schaltkreis A 1524D, technische Bedingungen |
| 42836 |
1986-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-UHF-Leistungstransistoren KT 930 A, B, technische Bedingungen |
| 42837 |
1986-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-VHF-Transistor KT 931 A, technische Bedingungen |
| 42878 |
1988 |
MB 105 |
| 42933 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Temperaturfühler-Schaltkreise, B 511 N1, B 511 N2, B511 N3, B 511 N4, B 511 Nm, technische Bedingungen |
| 42934 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen |
| 42934 - 1. Änderung |
1988-07-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen |
| 42940 |
1985-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 16 bis VQB 18, technische Bedingungen |
| 42942 |
1987-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotlasermodul VQ 150, technische Bedingungen |
| 42943 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 106, technische Bedingungen |
| 43012 |
1986 |
V 4046 D |
| 43013 |
1986 |
V 4051 D |
| 43014 |
1986 |
V 4046 D; V 4066 D; |
| 43016 |
1986 |
V 4520 D; V 4531 D; |
| 43017 |
1986 |
V 4538 D; |
| 43018 |
1986 |
V 4585 D |
| 43019 |
|
UB 8001 C / UB 8002 D |
| 43020 |
1987-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherverwaltungsschaltkreise, UB 8010 C, Technische Bedingungen |
| 43052 |
|
Festwertschichtwiderstände für Präzisions- und Ultrapräzionsanwendungen, Baureihe 21 (axiale Form, axial bedrahtet); technische Bedingungen |
| 43058 |
|
C 502 D |
| 43070 |
1985-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 205 bis VQE 208, technische Bedingungen |
| 43076 |
|
U 2365 D 30 / U 2365 D 45 |
| 43077 |
|
U 2716 C 35 / U 2716 C 39 / U 2716 C 45 |
| 43078 |
|
U 2616 D |
| 43084 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen |
| 43084 - 1. Änderung |
1988-10-16 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen |
| 43085 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C502D, Technische Bedingungen |
| 43099 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kamera-Schaltkreis A321G, Technische Bedingungen |
| 43155 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Aufnahme-Wiedergabe-Verstärker-Schaltkreis A1818D, Technische Bedingungen |
| 43156 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer AM-FM-ZF-Verstärker-Schaltkreis A4100D, Technische Bedingungen |
| 43157 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise A2000 V/Vm und A 2005 V/Vm,
Technische Bedingungen |
| 43158 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen |
| 43158 - 1. Änderung |
1987-07-20 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen |
| 43159 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Digital-Analog-Wandler-Schaltkreise C656C, C565D, C565C1, C565D1, C5650C, C5650D, C5658 und C5658D, Technische Bedingungen |
| 43199 |
|
Metallisierte Polyesterkondensatoren (zylindrische Bauform, zentrisch-axiale Bedrahtung) |
| 43202 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-J-K-Flipflop DL 112 D, Technische Bedingungen |
| 43203 |
1986-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-monostabiler Multivibrator-Schaltkreis DL 123 D, Technische Bedingungen |
| 43204 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 192 D, DL193 D, Technische Bedingungen |
| 43205 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 090 D, DL093 D, Technische Bedingungen |
| 43206 |
1985-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise DL 014 D und DL 132 D, Technische Bedingungen |
| 43240 |
|
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; feste Chipwiderstände; allgemeine technische Bedingungen |
| 43268 |
1986-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D,
technische Bedingungen |
| 43268 - 1. Änderung |
1986-12-30 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen |
| 43268 - 2. Änderung |
1989-02-10 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen |
| 43269 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandlerschltkreise C570C, C570D und 10-Bit-Analog-Digital-Wandlerschaltkreise C571C, C571D, C571C1, C571D1, Technische Bedingungen |
| 43290 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, AND-NOR-Schaltkreis DL051D, Technische Bedingungen |
| 43291 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Exklusiv-Oder-Schaltkreis DL086D, Technische Bedingungen |
| 43292 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-auf4-Dekoder/Demultiplexer-Schaltkreis DL155D, Technische Bedingungen |
| 43293 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vierfach-D-Flipflop-Schaltkreis DL175D, Technische Bedingungen |
| 43294 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL194D, Technische Bedingungen |
| 43295 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen |
| 43295 - 1. Änderung |
1988-03-15 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen |
| 43296 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL295D, Technische Bedingungen |
| 43297 |
1985-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Komparator-Schaltkreis DL8121D, DL 2632 D Technische Bedingungen |
| 43298 |
1988-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Systemtaktgenerator-Schaltkreis DL8127D, Technische Bedingungen |
| 43299 |
1988-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-Bit-A/D-Wandler-Schaltkreis C574C, Technische Bedingungen |
| 43346 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 191, technische Bedingungen |
| 43347 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 192, technische Bedingungen |
| 43348 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 196, technische Bedingungen |
| 43349 |
1987-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 197, technische Bedingungen |
| 43350 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 525, Technische Bedingungen |
| 43351 |
1987-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 526, Technische Bedingungen |
| 43352 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Epitaxial-Leitungsgleichrichterdioden SY 625, Technische Bedingungen |
| 43353 |
1987-07-00 |
Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Sockel mit Schraubenschlüssel, Hochvolt Typ IA, Technische Bedingungen |
| 43386 |
1986-03-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-Hochfrequenztransistoren, pnp-SF 816 bis SF 819, npn-SF 826 bis SF 829, Technische Bedingungen |
| 43386 |
1981 |
SF 129 B |
| 43402/03 |
1987-10-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, VQH 604, Technische Bedingungen |
| 43402/05 |
1989-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeigen, VQH 205, VQH 206, VQH 207, Technische Bedingungen |
| 43402/08 |
1988-11-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, MQH 200, Technische Bedingungen |
| 43403 |
1987-03-00 |
Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 106, Technische Bedingungen |
| 43408 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS-AD-Wandler-Schaltkreis C7136 D, Technische Bedingungen |
| 43411 |
1987-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 715, Technische Bedingungen |
| 43428 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kanalfilterschaltkreis U1001C, Technische Bedingungen |
| 43429 |
1985-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kodier- und Dekodierschaltkreis U1011C, Technische Bedingungen |
| 43558 |
1985-11-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 16A, FAS 16A, FAT 16A, Technische Bedingungen |
| 43559 |
1985-11-00 |
Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 17A, FAS 17A, FAT 17A, Technische Bedingungen |
| 43590 |
1987 |
SY 710 |
| 43606 |
1986-01-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, OR-Schaltkreis DL 032 D, Technische Bedingungen |
| 43607 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungssender-Schaltkreis DL 2631D, Technische Bedingungen |
| 43608 |
1986-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis DL 083D, Technische Bedingungen |
| 43609 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL 164D, Technische Bedingungen |
| 43610 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Adressierbarer 8-Bit-Latch-Schaltkreis DL 259 D, Technische Bedingungen |
| 43611 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL 299D, DL 295 D Technische
Bedingungen |
| 43612 |
1986-08-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8xD-Flip-Flop-Schaltkreis DL 374D, Technische Bedingungen |
| 43613 |
1986-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungstreiber-Schaltkreise DL 540D und DL 541D, Technische Bedingungen |
| 43614 |
1986-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Ansteuerschaltkreis für Leistungstransistoren B 4002D, Technische Bedingungen |
| 43638 |
1987-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungsschalttransistoren, SU 508, SU 509 und SU 510, technische Bedingungen |
| 43743 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speischer-Schaltkreise U2148D55 und U2148D70, Technische Bedingungen |
| 43746 |
1988 |
SU 389 / SU 390 |
| 43763 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 212, Technische Bedingungen |
| 43764 |
1986-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 213, Technische Bedingungen |
| 43787 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Fassung für integrierte Schaltkreise, Fassung 24-32/30,5-81x17,7, Technische Bedingungen |
| 43788 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsversorgungsschaltkreis B384D, Technische Bedingungen |
| 43789 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Testschaltkreis B385D, Technische Bedingungen |
| 43790 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speiseschaltkreis B386D, Technische Bedingungen |
| 43791 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analog-Prozessor-Schaltkreis für Teilnehmeranschlussschaltungen B3870D, Technische Bedingungen |
| 43792 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dialog-Analog-Wandler-Schaltkreise C560C und C560D, Technische Bedingungen |
| 43795 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B4206D, Technische Bedingungen |
| 43808 |
1987-03-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Graphics-Display-Controller, U82720 DC02;U82720 DC03, U82720 DC04, Technische Bedingungen |
| 43809 |
1987-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2732 CC35, U2732 CC39, U2732 CC45, Technische Bedingungen |
| 43810 |
1987-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2632 DC45, Technische Bedingungen |
| 43811 |
1987-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherschaltkreise U804 DC, Technische Bedingungen |
| 43812 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchipmikrorechnerschaltkreis U8611 DC08-xxx, U8611 DC08/01, UL8611 DC08-xxx, UL8611 DC08/01, Technische Bedingungen |
| 43813 |
|
U 82530 DC / U 8030 DC |
| 43818 |
1986-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Gate-Array-Schaltkreis, Typgruppe U5201, Technische Bedingungen |
| 43876 |
1988-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Standardzellenschaltkreise der Typengruppen U 1500 und U 1520, Technische
Bedingungen |
| 43877 |
1987-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA 102 und VQA 202, Technische Bedingungen |
| 43887 |
1987-09-00 |
Kontaktbauelemente, Steckverbinder 16-96/95x11,1, Bauform C, Technische Bedingungen |
| 43907 |
1988-04-00 |
Festkondensatoren, Metallisierte Polyester-Kondensatoren, (MKT) prismatisch, Klasse 1. Technische Bedingungen |
| 43922 |
1986-12-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreise U6516 DG 15, UL6516 DG15 und UL6516 DG 25, Technische Bedingungen |
| 43923 |
1988 |
SU 386 / SU 387 / SU 388 |
| 43929 |
|
DL 051 D |
| 43955 |
1987-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungsempfänger-Schaltkreise DL2632 D und DL2632 D1 für Differenzsignale, technische Bedingungen |
| 43956 |
1988-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Komplementäre-Silicium-Darlington-Leistungstransistoren npn BD 643, BD 645, BD647, BD649, pnp BD644, BD646, BD648, BD650, technische Bedingungen |
| 43961 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 16-Bit-Serien-Parallel-Wandler-Schaltkreis D718D, Technische Bedingungen |
| 43971 |
1989-05-00 |
Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Transistoren, npn- SCE 535, SCE 537, SCE 539, pnp- SCE 536, SCE 538, SCE 540, technische Bedingungen |
| 43979 |
1989-08-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 175, Technische Bedingungen |
| 45025 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, DC-DC-Wandler-Schaltkreise U7660 DC, U7660 DG Technische Bedingungen |
| 45026 |
1988 |
SSE 200 / SSE 201 /SSE 202 |
| 45039 |
1987-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreis A 4511D, Technische Bedingungen |
| 45040 |
1988 |
SU 518 / SU 519 / SU 520 |
| 45044 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4207D, Technische Bedingungen |
| 45045 |
1987-09-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4211D, Technische Bedingungen |
| 45046 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 193, Technische Bedingungen |
| 45047 |
1988-12-00 |
Halbleiterbauelemente. Siliciumgleichrichterdioden SY 198. Technische Bedingungen |
| 45055 |
|
Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Technische Bedingungen |
| 45133 |
1989-07-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vertikalablenk-Schaltkreis A 1670 VD, Technische Bedingungen |
| 45134 |
|
U 4541 DG |
| 45135 |
1988-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreise, C670C, C670Cn, C670CGn, C670D und C670Dn, technische Bedingungen |
| 45136 |
1988 |
SU 310 / SU 311 / SU 312 |
| 45137 |
1988 |
SU 192 |
| 45167 |
1988 |
B 3040 DA; Treiber-Sensor-Schaltkreis |
| 45223 |
1988 |
SU 382 / SU 383 / SU 384 |
| 45230 |
|
Keramische Vielschicht-Kondensatoren mit radialen Anschlussdrähten (KEVA) |
| 45231 |
1987-01-00 |
FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristall-Matrix-Anzeigen, FCR 30A, FCS 30A, FCT 30A, Technische Bedingungen |
| 45232 |
1988 |
U 2664 |
| 45235 |
1989-05-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Peripherieschaltkreis, U 82536 DC04, U 8036 DC04, Technische Bedingungen |
| 45236 |
|
U 82062 DC 05 |
| 45250 |
1988-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer 8-Bit-Teiber-Schaltkreis D4803 DC, Technische Bedingungen |
| 45279/02 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Fotodiode SP 114, Technische Bedingungen |
| 45279/03 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP116, SP117, SP123, Technische Bedingungen |
| 45279/04 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP119, SP121, Technische Bedingungen |
| 45279/05 |
1988-01-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen |
| 45279/05 - 1. Änderung |
1989-09-05 |
Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen |
| 45418 |
|
Keramische Scheibenkondesatoren der Klasse 1 und 2 sowie Nennspannungen bis 400V (Bauformen: SVA / SVO / SUA / SUO) |
| 45443 |
1989-06-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreis U739DC, Technische Bedingungen |
| 45449 |
1988-10-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer PLL-Regel-Schaltkreis B290SD, Technische Bedingungen |
| 45516 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA 103, VQA 203, VQA 303, Technische Bedingungen |
| 45523 |
1989-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, Nullspannungsschalter-Schaltkreis, B4204DE und B4205DE, Technische Bedingungen |
| 45577 |
|
B 2960 VG |
| 45656 |
1989-02-00 |
Integrierte Halbleiterschaltkreise, BIFET-Operationsverstärker-Schaltkreis B411DD, Technische Bedingungen |
| 45708 |
1989 |
MQE 10 |
| 45741 |
|
L 220 C |
| 45903 |
|
U 80601 |
| 45904 |
|
U 80606 DC |
| 45906 |
|
U 80610 |
| 55055 |
1987-05-00 |
Kontaktbauelemente, Flachsteckverbinder 2-20/2,5-50,4x14,0, technische Bedingungen |
| 55099 |
1986 |
VQ 125 |
| 55100 |
1983-06-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ123, technische Bedingungen |
| 55104 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen |
| 55104 - 1. Änderung |
1987-03-16 |
Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen |
| 55105 |
1984-04-00 |
Halbleiterbauelemente, SI-PIN-Fotodiode SP 107, Technische Bedingungen |
| 55106 |
1988-09-00 |
Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 109, Technische Bedingungen |
| 55108 |
1984-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorzeile L133C, Technische Bedingungen |
| 55110 |
1983-07-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 11 bis VQE 14, Technische Bedingungen |
| 55111 |
1985-02-00 |
Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 26 bis VQB 28, Technische Bedingungen |
| 55112 |
1983 |
SCE 307 / SCE 308 / SCE 309 |
| 55113 |
1984 |
SFE 225 |
| 55163 |
1983-09-00 |
Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch geschützt, technische Bedingungen |
| 55164 |
|
Polystyrol-Kondensatoren, zylindrisch, zentrisch-axial; technische Bedingungen |
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