Geschichte des Funkwesens
header

Geschichte des Funkwesens

header

TGL-Standards für elektronische Bauelemente

zusammengetragen von: Jürgen Tiedmann

TGL-Nr. Jahr Inhalt
200-3541/01 1963-10-00 Elektrische Nachrichtentechnik, HF-Steckvorrichtungen 75-1,8/6,2, Anschlussmaße
200-3603/01 1971-07-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, umschirmt, Stiftdurchmesser 1 mm, Hauptkennwerte
200-3603/02 1976-02-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44, 5x12, ungeschirmt, Stiftdurchmesser 2,5mm, Hauptkennwerte
200-3603/03 1967-12-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, geschirmt, Hauptkennwerte
200-3603/05 1973-11-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 2-32/23,5-44x11, Montageplatte
200-3603/06 1985-10-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 2-32/23-44x11, Gehäuse, Flansch, Deckel, Zugentlaster, technische Bedingungen
200-3606/01 1966-09-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NOF über 50 bis 60cm3, Hauptkennwerte
200-3630 1971-11-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 4/83x15 IP00, Hauptkennwerte
200-3633 1979-11-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 1/14, technische Bedingungen
200-3796/01 1981-03-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Hauptmaße, Löteigenschaften, Lieferung
200-3796/02 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.1 und NSF 30.6
200-3796/03 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.2 und NSF 30.3
200-3796/04 1975-04-00 Elektrische Informationstechnik, neutrale elektromagnetische Relais NSF 30, Kennwerte für NSF 30.4 und NSF 30.5
200-3800 1985-09-00 Kotakt-Bauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6; Bajonettfesthaltung, technische Bedingungen
200-3819/01 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, Anschlussmaße
200-3819/02 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 7/25, technische Bedingungen
200-3820 1973-12-00 Elektrische Informationstechnik, Steckverbinder 8-31/50-90x10, Hauptkennwerte
200-7037/02 1981-12-00 Heimelektronik, UKW-Eingangsteil Typ 2 mit Drehkondensatorabstimmung, technische Forderungen
200-8002 1966-03-00 Elektronenröhren, Empfangerröhren EC 360
200-8004 1966-09-00 Elektronenröhren, Empfangerröhren EY 51
200-8011 1974-01-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-Diodenpaar, 2 GA 109
200-8012   ZA 250/1 bis ZA 250/24
200-8013   GA 106 (OA 647) / GA 107 (OA 666)
200-8014   OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604 / OA 605
200-8015 1982-06-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen
200-8015 - 1. Änderung 1984-08-01 Elektronenröhren, Senderöhre SRV 355, technische Bedingungen
200-8018 1966-05-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 183
200-8019 1966-05-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EF 184
200-8020 1967-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 500
200-8022 1966-10-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PC 88
200-8023 1963-04-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 4 S 2, Hauptkennwerte
200-8024 1967-05-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 3, Hauptkennwerte
200-8025 1967-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 7, Hauptkennwerte
200-8026 1965-11-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 6, Hauptkennwerte
200-8041   Feste Drahtwiderstände, Baureihe 22; techniche Bedingungen
200-8042 1979-10-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, feste Drahtwiderstände, Baureihe 84, technische Bedingungen
200-8043/02 1970-11-00 Festwiderstände, Drahtwiderstände, Baureihe 24
200-8077 1979-12-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 554, technische Bedingungen
200-8078 1970-12-00 Veränderbare Widerstände, Normallastdrahtdrehwiderstände, Hauptkennwerte
200-8080 1985-09-00 Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 1/3,3, Schraubenfesthaltung, technische Bedingungen
200-8127 1978-12-00 Halbleiterbauelemente, pnp-Hochfrequenztransistoren GF 145, technische Bedingungen
200-8128   501 / SZ 522
200-8129 1963-09-00 Elektronenröhren, Thyratron S1, 3/30 dV, Hauptkennwerte
200-8138   OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903
200-8139   Selenamplitudenbegrenzer
200-8140 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenztransistoren SF 136 und SF 137,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8141   OA 720 / OA 721 / OA 741 / OA 780 (GA 106 / GA 107)
200-8142 1981-03-00 Halbleiterbauelemente, SZX 18/1, SZX 18/5,6 bis SZX 18/33, SZX 19/5,1 bis SZX 19/33, technische Bedingungen
200-8143   OA 904 / OA 905
200-8144 1965-12-00 Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 560 M, Z 5600 M, Z 561 M und Z 5610 M
200-8146 1963-06-00 Elektronenröhren, dekadische Anzeigeröhre Z 565M, Hauptkennwerte
200-8149 1964-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre für Spezialzwecke ECC 865
200-8151 1968-10-00 Elektronenröhren, Höchstfrequenzröhren, Reflexklystron HKR 902
200-8136 198012-00 Elektronenröhren, Drehanoden-Röntgenröhren DR 150/30/50 ö und DR 151/30/50 ö, technische Bedingungen
200-8137 1981-05-00 Elektronenröhren, Spektroskopie-Röntgenröhren FS Mo 60/35 ö und FS W 60/35 ö, technische Bedingungen
200-8138   OA 900 / OA 905 (Gleichrichterdioden kleiner Leistung)
200-8158 1963-04-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EYY 13, Hauptkennwerte
200-8159 1966-01-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre ECC 813
200-8238   GD 150 / GD 160 / GD 170 / GD 175 / GD 180 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren)
200-8240   GD 100 / GD 110 / GD 120 / GD 130 (Germanium-pnp-Leistungstransistoren)
200-8253   GS 100 (Germanium-pnp-Schalttransistor)
200-8276 1967-07-00 Festkondensatoren, Papier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8277 1967-07-00 Festkondensatoren, Metallpapier-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8278/01 1976-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen
200-8278/02 1975-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung
200-8279 1974-08-00 Festkondensatoren, Tantal-Elektrolyt-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen, Prüfung und Lieferung
200-8281/01 1975-12-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Forderungen
200-8281/02 1975-12-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren, Prüfung, Lieferung
200-8290   SC 100 / SC 103 / SC 104 / SS 101 / SS 102 (Silizium-p-n-p-NF-Transistor)
200-8292   OA 910 (Kapazitätsdiode)
200-8294/02 1967-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB, Einfachkapazitäten, zylindrisch, axialer Drahtanschluss, Hochvolt, Hauptkennwerte
200-8302   Selenstabgleichrichter im HP-Rohr
200-8320   GF 140 / GF 141 / GF 142 / GF 143 (Germanium-p-n-p-HF-Transistor)
200-8328/02 1965-06-00 Magnetomechanische Bandfilter, Einseitenbandfilter MF 450 ñ E-0310, Hauptkennwerte
200-8329 1965-05-00 Halbleiterbauelemente, Diodenquartett 4 GA 114
200-8330 1967-09-00 Elektronenröhren, Ionisationsvakuummeterröhre MR 04
200-8332 1967-12-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre EL 500
200-8336 1965-08-00 Halbleiterbauelemente, Halbleiterdioden-Paar 2 GA 113
200-8351 1968-04-00 Drehwiderstände, HF-Spannungsteiler, Hauptkennwerte
200-8352   GY 099 / GY 105 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 0,1 A)
200-8353   GY 109 / GY 115 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 1A)
200-8355   GA 108 / OA 686
200-8361   GY 120 / GY 125 (Germanium-Gleichrichterdioden für Ströme bis 10A)
200-8364   GAY 60 / GAY 61 / GAY 62 / GAY 63/ GAY 64 (Schaltdiode)
200-8365   SY 160 / SY 162 / SY 164 / SY 166 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 10 A)
200-8373 1965-11-00 Elektronenröhren, Leistungsschaltröhre Z 0,7/100U
200-8377   GAZ 15 / GAZ 17 (Schaltdiode)
200-8379   GAZ 14 / GAZ 16 (Schaltdiode)
200-8385 1984-08-00 Elektronenröhren, Sendedoppeltetrode SRS 4453, technische Bedingungen
200-8389 1975-08-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Schalttransistoren GS 109, GS 111, GS 112
200-8390   GF 100 / GF 105 (Germanium-pnp-HF-Transistor)
200-8391 1975-08-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenztransistoren GC 100 und GC 101
200-8392   GC 115 / GC 116 / GC 117 / GC 118 (Germanium-pnp-NF-Transistor)
200-8393   GC 120 / GC 121 / GC 122 / GC 123 (Germanium-pnp-NF-Transistor)
200-8394   SY 100 / SY 130 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A)
200-8398   SY 200 / SY 210 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 1A)
200-8399   SF 131 / SF 132
200-8405 1974-12-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRS 326
200-8406 1965-12-00 Elektronenröhren, Senderöhre SRS 302
200-8408 1965-12-00 Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 328
200-8409 1965-12-00 Elektronenröhren, Verstärkertriode VRS 331
200-8410 1968-10-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 7 S 4
200-8413 1969-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 10 S 4
200-8419   SF 121 / SF 122 / SF 123
200-8423 1985-07-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Zwillings-Kondensatoren freitragend, technische Bedingungen
200-8427 1981-03-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren im zylindrischen Metallgehäuse mit Drahtanschluss,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8430 1971-11-00 Elektronenröhren, Empfängerröhren PFL 200
200-8439 1983-12-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Hochfrequenz-Transistoren SF 126 bis SF 129C und 129D,&xnbsp;technische Bedingungen
200-8441 1966-09-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre DY 51
200-8442 1985-06-00 Halbleiterbauelemente, Widerstände für Zündzwecke, technische Bedingungen
200-8444 1970-12-00 Elektronenröhren, Oszillographenröhre B 13 S 8
200-8447/01 1971-04-00 Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren, Begriffe, allgemeine technische Bedingungen, Prüfung und Lieferung
200-8447/02 1978-10-00 Festkondensatoren, metallisierte Polycarbonatfolie-Kondensatoren MKC 1, zylindrische mit axialen Drahtanschlüssen, technische Bedingungen
200-8448 1967-09-00 Elektronenröhren, Grobstruktur-Röntgenröhre GE 200/8ö
200-8451 1984-08-00 Elektronenröhren, Sendetetrode SLR 460, technische Bedingungen
200-8466 1982-07-00 Halbleiterbauelemente, Schaltdioden SAY 30, SAY 32, SAY 40, SAY 42, SAY 50, SAY 52, SAY 60, SAY 62, technische Bedingungen
200-8469   GP 119 / GP 120 / GP 121 / GP 122 (Photodioden)
200-8473 1967-12-00 Elektronenröhren, Magnetron HMI 942
200-8474 1967-11-00 Elektronenröhren, Anzeigeröhre Z 570 M und Z 5700 M
200-8486 1981-03-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, feste Schichtwiderstände Baureihe 145, technische Bedingungen
200-8491 1969-12-00 Drehwiderstände, Einfach-Schichtwiderstände mit gerändelter Kunststoffwelle, Kenngröße 2, 4 und 8, Hauptkennwerte
200-8493/01 1977-12-00 Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren Nennspannung 400V, technische Bedingungen
200-8493/02 1968-09-00 Scheibentrimmer, Nenngleichspannung 250V, Hauptkennwerte
200-8506 1968-04-00 Elektronenröhren, Kaltkatoden - Relaisröhre Z 865 W
200-8510 1968-09-00 Elektronenröhren, Empfängerröhre PL 504
200-8511 1986-03-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 13/60, technische Bedingungen
200-8512 1967-12-00 Festwiderstände, Schichtwiderstände, Baureihe 19
200-8513 1979-11-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrisch axialer Drahtanschluss,Hochvolt, technische Bedingungen
200-8514 1979-12-00 Festkondensatoren,Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Einfachkapazitäten, zylindrische Schraub- und Flachsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen
200-8515 1979-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IA, Mehrfachkapazitäten, zylindrische Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Hochvolt, technische Bedingungen
200-8519 1986-02-00 Festkondensatoren, Tantal-Festkörper-Kondensatoren, zylindrisch, hermetisch dicht, technische Bedingungen
200-8520 1969-04-00 Halbleiterbauelemente, Germanium-pnp-Niederfrequenz, Leistungs-Transistoren GD 240, GD 241, GD 242, GD 243 und GD 244
200-8533   SAY 10 / SAY 11 / SAY 14 / SAY 15 (Schaltdioden)
200-8543 1969-05-00 Elektronenröhren, Stabilisatorröhren SStR 85/5
5151/01 1975-12-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren TYP 2A, zylindrisch, Schraubsockel, einseitiger Lötfahnenanschluss, Niedervolt; Hauptkennwerte
5155 1982-08-00 Festkondensatoren; Polystyrol-Kondensatoren exzentrisch axial; Technische Bedingungen
7198 1986-03-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; zylindrisch, axiale Anschlussdrähte, Niedervolt, Typ 2A; Technische Bedingungen
8095 1966-01-00 Halbleiterelemente; Germanium-Dioden; 0A 625, 0A 645, 0A 665, 0A 685, 0A 705; GA 100, GA 101, GA 102, GA 103, GA 104
8096 1974-01-00 Halbleiterbauelemente; Germanium-Diode; GA 105
8098   OC 816 / OC 817 / OC 818 / OC 820 / OC 821 / 2 OC 821 / OC 822 / OC 823
8728/01 1987-04-00 Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Feste Schichtwiderstände Baureihe 25; Technische Bedingungen
8728/02 1982-12-00 Feste und mechanische Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 250; Technische Bedingungen
8751 1975-04-00 Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; Mehrfachkapazitäten, Prismatisch; Kleinreihe
8754 1981-09-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; veränderbare Drahtwiderstände Baureihen 434, 444 und 474; Technische Bedingungen
8836/01 1989-05-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfangsgeräte und -kombinationen; Allgemeine technische Bedingungen
8836/02 1977-09-00 Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Technische Bedingungen für Reiseempfänger und Reiseempfängerkombinationen
8836/04 1975-12-00 Elektronische Heimgeräte, Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen
8836/05 1974-12-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Typprüfung, Allgemeine Angaben und Prüfbedingungen
8836/09 1974-12-00 Heimelektronik; Hörrundfunkempfänger; Akustische Prüfungen
8837 1988-12-00 Autoempfänger, Autokassenradios und -kassengeräte in Kraftfahrzeugen; Einbaumaße und -bedingungen
8838/01 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Technische Bedingungen
8838/02 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Allgemeine Prüfbedingungen für die Typprüfung
8838/03 1979-02-00 Heimelektronik; Fernsehrundfunkempfänger; Typprüfung
8838/06 1984-07-00 Elektronische Heimgeräte; Fernsehrundfunkempfänger; Sicherheitstechnische Forderungen für Arbeiten in Laboratorien, Werkstätten, Prüffeldern, an Prüf- und Reparaturplätzen
9089 1979-11-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren; Typ 2A mit Lötstiften, Hochvolt für gedruckte Schaltungen; Technische Bedingungen
9100 1985-11-00 Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 635 (Baureihe 645 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter) und Baureihe 685 (Baureihe 695 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen
9102   Veränderbare Schichtwiderstände (Doppelpotientiometer), Baureihe 725 (Baureihe 735 identisch, aber mit zweipoligem Drehschalter); technische Bedingungen
9103 1982-03-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 575 und 605; Technische Bedingungen
9463 1986-01-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 351; Technische Bedingungen
9467 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 353; Technische Bedingungen
9468 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 354; Technische Bedingungen
9479 1984-08-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 457; Technische Bedingungen
9480 1988-11-00 Elektronenröhren; Sendetriode SRL 459; Technische Bedingungen
10002 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A mit 2 Kontakten; Technische Bedingungen
10003 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A 2 mit 11 Kontakte; Technische Bedingungen
10004 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 2 x 6 Kontakte; Technische Bedingungen
10005 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 0,2 A bis 4 x 3 Kontakte; Technische Bedingungen
10006 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A bis 5 Kontakte; Technische Bedingungen
10007 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 6 bis 9 Kontakte; Technische Bedingungen
10008 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 10 bis 15 Kontakte; Technische Bedingungen
10009 1980-03-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 2 A 16 bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10010 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 11 Kontakte; Technische Bedingungen
10011 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen
10012 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 7 Kontakte; Technische Bedingungen
10013 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 36 Kontakte; Technische Bedingungen
10014 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10015 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 24 Kontakte; Technische Bedingungen
10016 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 4 A bis 57 Kontakte; Technische Bedingungen
10017 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 6 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen
10018 1985-12-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 10 A bis 37 Kontakte; Technische Bedingungen
10118 1978-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 50/5 ö; technische Bedingungen
10119 1978-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 60/10 ö; technische Bedingungen
10128 1980-12-00 Elektronenröhren; Diagnostik-Röntgenröhren DE 125/30/50 ö; technische Bedingungen
10395/01 1978-11-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 3 mm; Technische Bedingungen
10395/02 1978-11-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 8-30/47-8 3x20; IP 00 Messerbreite 2,5 mm; Technische Bedingungen
10790/02 1972-02-00 Festkondensatoren; Metallpapier-Kondensatoren; zylindrisch mit Drahtanschluss dicht; Hauptkennwerte
10793/02 1976-09-00 Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 2; zylindrisch mit axialen Drahtanschlüssen
10793/03 1978-12-00 Festkondensatoren; Lack-Kondensatoren MKL 3; prismatisch; Technische Bedingungen
10822 1985-08-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 1A bis 12 Kontakte; Technische Bedingungen
10825 1978-04-00 Kontaktbauelemente; Drehschalter 1,5 A bis 8 Kontakte; Technische Bedingungen
11054   OC 824 / OC 825 / OC 826 / OC 827 / OC 828 / OC 829
11055   O4A657 (Universal-Diodenquartett)
11886   Veränderbare Schichtwiderstände (Einstellbare Kohleschichtwiderstände in offener Bauform), Baureihe 585 und 595; technische Bedingungen
11887   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 645 und 695; technische Bedingungen
11901   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 735; technische Bedingungen
11902   Veränderbare Schichtwiderstände (Tandempotentiometer) der Baureihen 655 und 705; technische Bedingungen
12216   Feste Schichtwiderstände (Festwertschichtwiderstände für den Einsatz bei hohen Frequenzen), Baureihe 33 (axiale Form, kappenlos, axial bedrahtet); technische Bedingungen
12221 1987-04-00 Halbleiterbauelemente; Selengleichrichter in Freiflächenbauart, technische Bedingungen
12536   OC 870 / OC 871 / OC 872
13782   SF 357 / SF 358 / SF 359 (siehe auch TGL 32651)
14122/02 1979-12-00 Festkondensatoren; Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren Typ IB; Hochvolt; technische Bedingungen
14281/03 1986-03-00 Thermistoren; Heißleiter; Heißleiter für Kompensationszwecke mit Drahtanschluss; technische Bedingungen
14846 1984-12-00 Elektrische Nachrichtentechnik; Buchsenteile; 30-40/200 x 12 IP 00
14893 1987-07-00 Elektronenröhre, Empfängersperröhre HSE 952, technische Bedingungen
14975   2 OA 646
14976   OA 722 / OA 723
14977   OA 647 / OA 666
14978   OA 601 / OA 602 / OA 603 / OA 604
14979   OA 605 (ZA 250/5; ZA 250/6; ZA 250/7; ZA 250/8; ZA 250/9)
14980   OA 900 / OA 901 / OA 902 / OA 903
23223/07 1989-03-00 Mechanische Frequenzfilter, Elektrochemische Bandfilter, Monolithische piezokeramische Bandfilter für Ton-ZF, 5,5 6,0 und 6,5 MHz, Technische Bedingungen
24099/01 1972-09-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ IB, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte
24099/02 1972-09-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rund, Typ II, Nennspannung 250 V, Hauptkennwerte
24100/03 1976-05-00 Keramik Kleinkondensatoren, Scheibenkondensatoren rechteckig, Qualitätskennziffern und Bewertung
24101/02 1974-04-00 Keramik-Kleinkondensatoren, Durchführungskondensatoren mit Schraubbefestigung, Typ II, Hauptkennwerte
24102/01 1976-04-00 Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Technische Forderungen, Lieferung
24102/02 1976-04-00 Festkondensatoren, Keramik-Mehrschichtkondensatoren, Typenreihe K 10-9, Prüfung
24165/14 1984-04-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher M4 FC 520, Technische Bedingungen
24165/01 1979-06-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Allgemeine technische Bedingungen
24165/05 1982-03-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVC 520, M 11 FVC 521, Technische Bedingungen
24165/07 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-29, Technische Bedingungen
24165/08 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-52, Technische Bedingungen
24165/09 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 12-35, Technische Bedingungen
24165/10 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 3-19, Technische Bedingungen
24165/11 1985-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typgruppe 10-19, Technische Bedingungen
24165/12 1977-11-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, Typenreihe 10-30
24165/13 1977-12-00 Elektronenröhren, Fotovervielfacher, M 11 FVS 300, Technische Bedingungen
24187 1969-12-00 Elektronenröhren, Impulsmagnetron HMI 954
24197/01   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Begriffe
24197/02   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; technische Bedingungen
24197/03   Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Nenngröße
24285 1989-01-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 170 und SY 171, Technische Bedingungen
24341 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor SF 240, Technische Bedingungen
24546 1982-07-00 Halbleiterbauelemente, Schaltdioden, SAM 42 bis SAM 45, SAM 62 bis SAM 65, Technische Bedingungen
24589/11 1981-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 1302, Technische Bedingungen
24589/02 1981-09-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, Allgemeine technische Bedingungen
24589/06 1986-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2001, Technische Bedingungen
24589/07 1981-12-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 3601, Technische Bedingungen
24589/08 1982-03-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 2701, Technische Bedingungen
24589/09 1982-05-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKR 1301, Technische Bedingungen
24589/10 1981-09-00 Kontaktbauelemente, Schutzrohrkontakt-Schließer, RKG 2703, Technische Bedingungen
24683 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10 und 32/22, Anschlussnahme
24685 1988-03-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 6/10, Technische Bedingungen
24687 1988-10-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 32/22, Technische Bedingungen
24726   SF 245
24742   SM 103 / SM 104
24925 1979-12-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Klammergleichrichter, Technische Bedingungen
24926   Selenblockgleichrichter im Metallgehäuse
24927   Selenkleinstgleichrichter
24928/01 1980-03-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Keramikrohr, Technische Bedingungen
24928/02 1981-03-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Hochspannungsgleichrichter, Stabgleichrichter in Plastrahmen, Technische Bedingungen
24931 1980-06-00 Halbleiterbauelemente, Selen-Stabilisatoren, Technische Bedingungen
24952 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren SSY 20 und SSY 21, Technische Bedingungen
25180 1987-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 1,6/ 9,7, Bajonettfesthaltung, Technische Bedingungen
25182 1987-12-00 Ultraschallverzögerungsleitungen 64 µs für Farbfernsehempfänger, Technische Bedingungen
25184   SAY 12 / SAY 16 / SAY 17 / SAY 18 / SAY 20
25186 1985-07-00 Elektronenröhren, Endikon F 2,5 M 3 UR, Endikon F 2,5 M3 aUR, Technische Bedingungen
25289   ST 121/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 23A)
25603/02 1980-04-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 7/16, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
25604 1982-08-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen
25652   U 101 D
25653   U 102 D
25654   U 103 D
25655   U 104 D
25656   U 105 D
25733   ST 111/1 bis /12 (Silizium-Thyristor mittlerer Leistung 13A)
25734   SZ 600-Reihe (Silizium-Leistungs-Z-Diode)
25763   SY 250/0,5 bis 10 (Silizium-Gleichrichterdiode für Ströme bis 250A)
25916   SF 150
26152   D 100 D / E 100 D / D 110 D / E 110 D / D 120 D / E 120 D / D 130 D / E 130 D / D140 D / E 140 D
26153   D 150 D / E 150 D / D 151 D / E 151 D / D 153 D / E 153 D / D 154 D / E154 D
26154   Selenblockgleichrichter im Plastgehäuse
26172   U 106 D
26173 1978-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreis U 107 D, Technische Bedingungen
26174   U 108 D
26175   U 109 D
26176   UB 880 D / VB 880 D / UA 880 D
26177 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer statischer 5-Bit-Schiebe-Register-Schaltkreis U311 D, Technische Bedingungen
26178 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Serienspeicherschaltkreis U 352 D, Technische Bedingungen
26187   U 352 D (dynamischer 64-bit-Serienspeicher)
26432   SMY 50
26525 1985-09-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 8/28, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
26526/01 1981-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Wellenwiderstand 50 Ohm, Anschlussmaße
26526/02 1981-05-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 13/50, Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
26529   SMY 51
26530   SMY 52
26629 1977-12-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Prismatisch, für gedruckte Schaltung, Technische Bedingungen, Typ II
26713   B 460 G
26818 1978-12-00 Halbleiterbauelemente, npn-Schalttransistoren, SS 216, SS 218 und SS 219, Technische Bedingungen
26819/1   SF 215 / SF 216
26820   SY 180 / SY 180A
26838 1980-10-00 Kontaktbauelemente HF-Steckverbinder 11/39, 22/77, 34/120 Flanschfesthaltung, Wellenwiderstand 75 Anschlußmaße
26906/01 1980-02-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Technische Bedingungen
26906/02 1977-06-00 Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.2151; 490.2159; 490.2171; 490.0209 und 490.0211
26906/03 1977-06-00 Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 490, Kenngrößen 490.0408; 490.0409; 490.0411; 490.0413; 490.0415 und 490.0416
26915 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolitisch integrierte NAND-Schaltkreise K 158 LA 3, K 158 LA 4, K 158 LA 1 und K 158 LA 2
26980 1988-04-00 Festkondensatoren, Kunststofffolie-Kondensatoren, metallisiert, Polyester-Kondensatoren (MKT) für Gleichstrom Klasse 1 und Klasse 2, Allgemeine technische Bedingungen
27141/1   SC 206 / SC 207
27143   SS 200 / SS 201 / SS 202
27144 1978-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-npn-Schalttransistoren, SS 106, SS 108 und SS109, Technische Bedingungen
27145 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 225, Technische Bedingungen
27146 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SF 235, Technische Bedingungen
27147 1978-10-00 Halbleiterbauelemente, npn-Hochfrequenztransistor, SC 236 bis SC 239, Technische Bedingungen
27148   D 103 D / E 103 D / D 126 D / E 126 D / D 151 D / E 151 D / D 154 D / E 154 D / D 160D / E 160 D
27231 1985-09-00 Kontaktbauelemente, HF-Steckverbinder 2/6,6,Schraubfesthaltung, Technische Bedingungen
27338 1985-11-00 Halbleiterbauelemente, Z-Dioden, SZX 21/1, SZX 21/5,1 bis SZX 21/24, Technische Bedingungen
27423   Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 513 und 523; technische Bedingungen
27616/01 1985-06-00 Heimelektronik, Tonbandgeräte, Allgemeine technische Bedingungen
27616/03 1985-08-00 Heimelektronik, Tonbandgeräte, Prüfung
27617/03 1985-11-00 Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung
27617/03 - 1. Änderung 1988-02-10 Heimelektronik, Schallplatten-Abspieleinrichtungen, Prüfung
27874   Feste Schichtwiderständen (Festwertschichtwiderstände für hohe Nennverlustleistungen), Baureihe 81; technische Bedingungen
27940 1981-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände, Baureihe 455, Technische Bedingungen
27975   SAL 41 / SAL 43 / SAL 45 (Schaltdioden)
27977   D 172 D / E 172 D
28109   A 281 D
28220   ST 103
28364 1989-06-00 Halbleiterbauelemente; Schalterdiode SA 412; Technische Bedingungen
28462   D 200 D / D 210 D / D 220 D / D 230 D
28466 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 181 C / E 181 D und S 181 D; Technische Bedingungen
28467 1981 D 195 D / E 195 D
28468 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Speicher-Schaltkreise D 191 C, D 191 D, E 191 C und E 191 D; Technische Bedingungen
28597 1973-09-00 Elektrische Informationstechnik; Steckverbinder 12-26/19,6-38x13 IP00; Griffschalen, Streckplatten, Bügel
28660/01 1987-05-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Allgemeine technische Bedingungen
28660/02 1977-06-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Forderungen für HiFi-UKW-Empfangsteile
28660/03 1982-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten-Abspieleinrichtungen
28660/04 1987-05-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Tonbandgeräte
28660/05 1985-04-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für NF-Verstärker
28660/06 1980-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Gehäuselautsprecher, Einbaulautsprecher, Technische Forderungen, Mess- und Prüfmethoden
28660/11 1982-12-00 Heimelektronik; Erzeugnisse mit HiFi-Qualität; Technische Bedingungen für Schallplatten- Abtastsysteme
28813 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NAND-Schaltkreise D 200 C, D 210 C, D 220 C, D 230C, D 200 D, D 210 D, D 220 D und D 230 D; Technische Bedingungen
28814   D 240 D
28815   D 251 D
28816   D 274 D
28818 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichterdioden SY 320; Technische Bedingungen
28873 1981 A 109 D / B 109 D
28874 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Komparator- Schaltkreise A 110 D und B 110 D; Technische Bedingungen
29053 1981 SA 418
29107   A 211 D
29108 1984 A 281 D
29247 1989-06-00 Halbleiterbauelemente; Schaltdiode SA 403; Technische Bedingungen
29263 1981 D 204 D
29264 1981 D 254 D
29265 1981-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 146 C, D 147 C, E 147 C, D 146 D, D 147 D und E 147 D; Technische Bedingungen
29266   D 174 D / E 174 D
29267 1981-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare BCD-ZU-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D 192 C, D 192 D, E 192 C, E 192 D, D 193 C, D 193 D, E 193 C und E 193 D; Technische Bedingungen
29363   D 201 D / D 204 D
29364   D 254 D
29270 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Siliziumgleichrichter in Freiflächenbauart mit SY 170, SY 171
29330 1975-02-00 Mikroelektronik; Monolithischer Integrierter Leseverstärker-Schaltkreis D122 C und D 123 C
29331/01 1984-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 7-90-48-128 x 13; Technische Bedingungen
29331/02 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Verteilerleisten 30-87/88 x 9,5
29331/03 1988-02-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 15-90/88-128 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/04 1977-12-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/04 - 1. Änderung 1983-03-31 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 5-39/28-48 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/05 1988-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Montageleisten 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/06 1977-05-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5,;Technische Bedingungen
29331/06 - 1. Änderung 1983-03-31 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 10-33/88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/07 1977-09-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 3-8/28-88 x 13,5; Technische Bedingungen
29331/08 1983-05-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Zubehörteile, Technische Bedingungen
29331/09 1978-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Hilfswerkzeuge, Technische Bedingungen
29331/12 1982-10-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 4-6/12,5 x 7,5, Technische Bedingungen
29331/13 1979-08-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 44/88 x 13,5, Technische Bedingungen
29331/14 1987-03-00 Kontaktbauelemente; Einheitliches Flachsteckverbindersystem; Steckverbinder 41/88 x 13,5, Technische Bedingungen
29475 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch integrierte AND-NOR-Schaltkreise K 158 LR 1 und K 158 LR (ältere Ausgabe)
29475 1981 E 126 D (jüngere Ausgabe (Fkt. Ident.)
29509   SA 418
29954   ST 108
29955   VK 11 / VK 12 / VK 15
29958   U 821 D (Rechnerschaltkreis)
29969 1979-10-00 Halbleiterbauelemente; SI- Fotodioden SP 101 bis SP 103; Technische Bedingungen
31243   VQA 12
31245 1979-10-00 Halbleiterbauelemente. Lichtemitteranzeigen VQB 71, VQB 73. Technische Bedingungen
31281/01 1975-12-00 Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Begriffe, Technische Forderungen, Lieferung
31281/02 1975-12-00 Einstellbare Kondensatoren; Keramik-Trimmerkondensatoren; Prüfung
31296 1986 SU 160
31298 1982-01-00 Halbleitebauelemente. Infrarotemitterdiode VQ 110. Technische Bedingungen
31299 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Programmwahlschalkreis U 700 D; Technische Bedingungen
31427/01 1976-04-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6
31427/01 - 1. Änderung 1984-04-26 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 20-135/27, 2-132,5 x 12,6
31427/02 1976-04-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2
31427/02 - 1. Änderung 1980-01-31 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Steckbinder 46-90/132-140 x 10,2
31427/03 1978-08-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder der Rechentechnik; Griffelemente, Technische Bedingungen
31428 1986-07-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21; Technische Bedingungen
31428/01 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Anschlussmaße
31428/02 1975-12-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 5/21. Hauptkennwerte
31429 1975-12-00 Festkondensatoren. Polyester - Kondensatoren zentrisch axial. Hauptkennwerte
31453   A 220 D
31456   A 205 D / A 205 K
31457   A 230 D
31459   A 240 D
31461 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise A 301 D und A 301 W; Technische Bedingungen
31462 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare Initiator Schaltkreise D 491 D und D 492 W; Technische Bedingungen
31463   A 250 D
31685   SU 165 (Si-npn-Leistungsschalttransistor)
31905   SY 330
31906   SY 335
31053   U 705 D
32054 1977-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 711 D; Technische Bedingungen
32055 1978-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 121 D und U 122 D; Technische Bedingungen
32056   U 710 D
32058 1978-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise. Unipolarer Mikroprozessor-Schaltkreis U 808 D. technische Bedingungen
32060 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise;Unipolarer Decoder- Schaltkreis U 253; Technische Bedingungen
32114 1982-01-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 101; Technische Bedingungen
32115   SP 201
32116 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Fototransistor SP 211; Technische Bedingungen
32339   SAY 73
32414 1987-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände; Dickfilmschaltkreise Baureihe 483; Technische Bedingungen
32422 1984-03-00 Kontaktbauelemente; Miniaturdrehschalter für starre Leiterplatten; Technische Bedingungen
32441 1983-10-00 Elektrische Informationstechnik; Relais mit Schutzrohrkontaktsystemen RGK 20/1 und RGK 20/2
32442 1976-12-00 Elektrische Informationstechnik. Neutrales elektromagnetisches Relais GBR 111
32533 1978-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Frequenzteilerschaltkreis U 112 D; Technische Bedingungen
32537 1988 A 302 D
32648 1984 E 104 D, E 108 D
32649 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch integrierter J-L-Flip-Flop-Schaltkreis K 158 TW 1
32650 1987 A 244 D
32651 1984 SF 357 / SF 358 / SF 359
32874 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U551D; Technische Bedingungen
32944   SMY 60 (Si-Doppel-MOS-FET vom p-Kanal-Anreicherungstyp)
32988   VQA 13 (TGL ersetzt durch 38468)
32989 1979-03-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteanzeige VQB 37; Technische Bedingungen
32990   SY 185
33015   U 111 D
33554   SU 161 (Si-npn-Leistungsschalttransistor)
33555   SD 168
33965   Kunststofffolie-Kondensatoren, prismatisch; technische Bedingungen
34064 1987-06-00 Feste uns mechanische veränderbare Widerstände; Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 583 und 593; Technische Bedingungen
34151 1977-04-00 Halbleiterbauelemente. Tunneldioden AI 301 A, B, W, G. Technische Bedingungen
34158 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium - Dual - Gate - MOS - Feldeffekttransistoren KP 306 A, B, W; Technische Bedingungen
34160 1983-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber- Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen
34160 - 1. Änderung 1987-04-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Zeitgeber-Schaltkreis B 555 D; Technische Bedingungen
34163   KT 805
34164   KT 326
34166   KT 802
34167 1977-12-00 Halbleiterbauelemente; Silizium - Sperrschicht - Feldeffekttransistoren KP 303 A, B, W, G, D, E, SH, I; Technische Bedingungen
34168 1984 A 290 D
34169 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolare NAND-Schaltkreise K 1 LB 553, K 1 LB 554, K 1 LB 551, K 1 LB 552 und K 1 LB 556 (neue Bezeichnung: K155LB3, K155LB4, K155LB1, K155LB2, K155LB6)
34170 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolare AND-NOR-Schaltkreise K 1 LR 551 und K 1 LR 553 (neue Bezeichnung: K155LR1, K155LR3)
34171 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolaren Expander-Schaltkreis K 1 LP 551 (neue Bezeichnung: K155LP1)
34172 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 551 (neue Bezeichnung: K155TK1)
34173 1976-12-00 Mikroelektronik. Monolithisch bipolarer J-K-Flop-Schaltkreis K 1 TK 552 (neue Bezeichnung: K155TK2)
34177   KT 803
34701 1989 SP 104
34766 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 30; Technische Bedingungen
34815 1982-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer Festwertspeicherschaltkreis U 505 D; Technische Bedingungen
34816 1986-04-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 15; Technische Bedingungen
34817   VQA 23 (ersetzt durch TGL 38468)
34818   VQA 33 (ersetzt durch TGL 38468)
34827   KT 911
34830   KT 904
34831   KT 603
35149 1977-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Monolithischer Bipolarer Ton- ZF- Verstärker- Schaltkreis A 223 D; Technische Bedingungen
35151   A 231 D
35169 1977-10-00 Kontaktbauelemente. Steckverbinder 4-9/34,5-46,5 x 28
35170 1988-04-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 110; Technische Bedingungen
35171 1988-04-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronischer Koppler MB 111; Technische Bedingungen
35172 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Infrarotemitterdiode VQ 120; Technische Bedingungen
35199   KT 203
35200 1986-08-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-pnp-NF-Transistoren KT 209, A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M; Technische Bedingungen
35201   KT 501
35202   KT 368
35204 1981-06-00 Integrierte Halbleiterbauelemente; 4 MHz-Uhrenschaltkreis U 114 D und U 124 D; Technische Bedingungen
35274/01 1978-05-00 Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen an Lötfahnen
35274/02 1978-05-00 Elektrotechnik; Handlöten mit Lötkolben; Abnahmebedingungen für Lötausführungen auf bestückten Leiterplatten
35274/03 1987-10-00 Elektrotechnik; Handlöten; Verfahren zum Weichlöten an Lötanschlüssen
35333 1979-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Statischer Lese-Schreib-Speicher U 202 D; Technische Bedingungen
35334 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Teilerschaltkreis D 351 D und E 351 D; Technische Bedingungen
35335 1981-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Zeitschaltkreise D 355 D, E 355 D und E 356 D; Technische Bedingungen
35336   D 461 D
35404   KT 363
35405   KT 345
35406   KT 347
35407   KT 920
35408   KT 922
35409   KT 925
35515   B 340 D / B 341 D
35555 1984 B 222 D
35765 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Lautstärke- und Balance-Einstell-Schaltkreis A 273 D; Technische Bedingungen
35766 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Höhen- und Tiefeneinstell- Schaltkreis A 274 D; Technische Bedingungen
35767 1988 A 202 D
35775 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 194; Technische Bedingungen
35776 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 402; Technische Bedingungen
35777 1980-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 412; Technische Bedingungen
35778 1982-10-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 84.5; Technische Bedingungen
35779 1980-09-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Drahtwiderstände Baureihe 552; Technische Bedingungen
35780 1979-12-00 Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ IB; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen
35781 1979-12-00 Festkondensatoren; Keramik-Scheibenkondensatoren rechteckig, Typ II; Nennspannung 63 V; Technische Bedingungen
35797 1985-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 209 K, A 210 E, A 210 E2, A 210 K, A 210 K2; Technische Bedingungen
35798 1986-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolare NF-Verstärker-Schaltkreise A 225 D; Technische Bedingungen
35799   SY 360
35833 1978-12-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-Dual-Gate Mos-Feldefekt-Transistoren KP 350 A, B, W; Technische Bedingungen
35835   KT 371
35836   KT 372
35837   UB 855 D / VB 855 D / UA 855 D
35838 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Unipolarer UV-löschbarer Festwertspeicher-Schaltkreis U 552 C; Technische Bedingungen (U855D ?)
35866 1980-03-00 Rotierende elektrische Maschinen; Gleichstrom-Kleinstmotor permanenterregt mit genutztem Läufer; Typ 1223.3
35869 1979-06-00 Rotierende elektrische Maschinen; Gehäusemotoren für Kassetten-Heimbandgeräte; Typen 1120.5 und 1120.5/1
35950   U 706 D
36076 1983-05-00 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 20.1
36083 1979-03-00 Bestückte Leiterplatten; Schwalllöten
36369 1979-09-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitteranzeigeeinheit VQD 32, VQD 32-2; Technische Bedingungen
36370 1986-07-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF- Transistoren KT 382, A, B, AM, BM; Technische Bedingungen
36371 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 704, A, B, W; Technische Bedingungen
36372 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 809 A; Technische Bedingungen
36373 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-Leitungstransistoren KT 812, A, B, W; Technische Bedingungen
36374 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 913, A, B, W; Technische Bedingungen
36375 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 918, A, B; Technische Bedingungen
36376 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 919, A, B, W, G; Technische Bedingungen
36377 1979-06-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-npn-HF-Transistoren KT 926, A, B; Technische Bedingungen
36515 1979-12-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7 - 0350; Technische Bedingungen
36516 979-12-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800/1/2 Technische Bedingungen
36516 - 1. Änderung 1982-08-00 Mechanische Frequenzfilter; Monolithisches Frequenzfilter MQF 10,7-1800. Technische Bedingungen
36521 1982-08-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 23; Technische Bedingungen
36523 1986-04-00 Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen
36523 - 1. Änderung 1988-08-15 Mechanische Frequenzfilter; Oberflächenwellenfilter MSF 38,9; Technische Bedingungen
36608 1986-04-00 Halbleiterbauelemente; Siliciumgleichrichterdioden SY 345; Technische Bedingungen
36609 1985-06-00 Halbleiterbauelemente; optoelektronische Koppler MB 104/4, MB 104/5, MB 104/6; Technische Bedingungen
36664 1980-09-00 Kontaktbauelemente; Steckverbinder 20/60; Technische Bedingungen
36665 1989-09-00 Kontaktbauelemente; Fassungen für integrierte Schaltkreise; Fassung 18-48/24,5-63 x 19,9; Technische Bedingungen
36737 1984-09-00 Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen
36737 - 1. Änderung 32766 Keramik-Hochfrequenz-Leistungskondensatoren; Scheibenkondensatoren; Technische Bedingungen
36740 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-MOS-Feldeffekttransistoren KP 305 D, E, Sh, I; Technische Bedingungen
37001   UB 856 D / VB 856 D / UA 856 D
37002   UB 857 D / VB 857 D / UA 857 D
37003   UB 858 D / UA 858 D
37019 1987-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Kurzschlussfester Treiber-Schaltkreis E 435 E; Technische Bedingungen
37025 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 3107 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L; Technische Bedingungen
37026 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 816 A, B, W, G; Technische Bedingungen
37027   KT 502
37028 1980-01-00 Halbleiterbauelemente; Silizium-pnp-NF-Transistoren KT 630 A, B, W, G, D, E; Technische Bedingungen
37029   UB 8563 D / VB 8563 D / UA 8563 D
37203 1989-07-00 Kontaktbauelemente; Flachsteckverbinder 1-18/5-90 x 4; Technische Bedingungen
37212 1982-04-00 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2
37212 - 1. Änderung 1985-10-09 Elektrische Informationstechnik; Neutrale elektromagnetische Relais GBR 10; Relais 10.1 und Relais GBR 10.2
37359   UB 8860 M / UB 8861 M
37360   UB 8810 D / UB 8811 D
37370   KT 382 A, B, AM/BM
37512   D 410 D
37513   B 308 D / B 318 D
37514 1981-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schaltnetzteile B 260 D; Technische Bedingungen
37518 1982-09-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-Leitungsschalttransistoren SU 167 und SU 169; Technische Bedingungen
37558   KT 503
37559 1986-08-00 Halbleiterbauelemente; Silicium-npn-UHF-Transistoren KT 640, A-2- B-2, W-2; Technische Bedingungen
37560   KT 814
37562 1986-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Vier-Bit-Binär-Dezimaldekoder-Schaltkreis K 155 ID3; Technische Bedingungen
37609 1988 MB 104
37634 1981-12-00 Festkondensatoren; Polypropylen- Kondensatoren zentrisch-axial; Technische Bedingungen
37787 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen
37787 - 1. Änderung 1989-01-04 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Festwertspeicher-Schaltkreis U 555 C; Technische Bedingungen
37788   U 830 D
37791   U 834 D
37871   SC 307 / SC 308 / SC 309
37872   KT 815
37873   KT 817
37903 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen
37903 - 1. Änderung 1988-10-16 Integrierte Halbleiterschaltkreise; Biopolarer-Bild-ZF-Verstärker-Schaltkreis A 241 D; Technische Bedingungen
37905 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 25; Technische Bedingungen
37906 1987-11-00 Halbleiterbauelemente; Lichtemitterdiode VQA 35; Technische Bedingungen
37911 1983-12-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände; Feste Schichtwiderstände Baureihe 121; Technische Bedingungen (prismatische Bauform, einseitige Anschlussbedrahtung)
37960   KT 934
37961   KT 818
37962   KT 819
38005   U 202 DA
38007 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer RGB-Matrix-Schaltkreis, A232D, Technische Bedingungen
38008 1982 B 654 D
38009 1985 A 255 D
38011 1981-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer LED-Ansteuerschaltkreis, A277D, Technische Bedingungen
38012 1980-11-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Empfänger-Schaltkreis, A283D, Technische Bedingungen
38013 1982-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittmotoren D394D, Technische Bedingungen
38014   C 520 D
38015 1986-05-00 Halbleiterbauelemente, Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise, Bildung der Typebezeichnungen und Gestaltung der Typenkennzeichnung
38021 1980-11-00 Halbleiterbauelemente, npn-Transistor mit hoher Sperrspannung, SF 369, Technische Bedingungen
38031 1982-04-00 Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2
38031 - 1. Änderung 1984-03-27 Elektrische Informationstechnik, Neutrale elektromagnetische Relais, GBR15, Relais GBR 15.1 und Relais GBR 15.2
38145 1981-05-00 Halbleiterbauelemente, Seilen- Blitzschutzdioden BD1 und BD2, Technische Bedingungen
38158 1983-11-00 Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Prismatisch stehende Ausführung, Technische Bedingungen
38159 1982-06-00 Festkondensatoren, Polystyrol- Kondensatoren, Zylindrisch, zentralisch-axial, Technische Bedingungen
38198 1989-09-00 Kontaktbauelemente, Knöpfe für Tastenschalter
38221 1982-04-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für Tonfrequenzen bis 50 kHz, Niedervolt, axiale Ausführung, Typ IIA, Technische Bedingungen
38282 1982-05-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 55, Technische Bedingungen
38283 1982-05-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 45, Technische Bedingungen
38378 1987-09-00 Mechanische Frequenzfilter, Elektromechanischer Frequenzfilter MF 200-0900/7, Technische Bedingungen
38454   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, axial Anschlüsse Niedervolt, Typ I A, technische Bedingungen
38455 1983-11-00 Kontaktbauelemente. Steckverbinder 8-Polig. Technische Bedingungen
38462 1981 SCE 237 / SCE 238 / SCE 239
38463 1984 SFE 235
38464 1984 SFE 245
38465 1988 SSE 216 / SSE 219
38466   SY 351
38467 1983-04-00 Flüssigkristallbauelemente. Flüssigkristallanzeigen. Hauptmaße
38468   VQA 10 / VQA 13 / VQA 13-1 / VQA 23 / VQA 33
38469 1982-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigeeinheit, VQC10, Technische Bedingungen
38470 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdiodenreihe VQF10-1, Technische Bedingungen
38461 1981-05-00 Elektronenröhren, Magnetron HMD 244, Technische Bedingungen
38467 1983-04-00 Flüssigkristallelemente, Flüssigkristallanzeigen, Hauptmaße
38468 1987-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA10, VQA13, VQA13-1, VQA23, VQA33, Technische Bedingungen
38469   VQC 10
38518 1981-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer programmierbarer Triac-, Thyristor- und Transistor-Ansteuer-Schaltkreis U708D, Technische Bedingungen
38519 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer LCD-Ansteuer-Schaltkreis U714 PC, Technische Bedingungen
38520   U 806 D
38521 1989-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Fernbedienungs-Sender-Schaltkreis U807DC, Technische Bedingungen
38524 1982-04-00 Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKV Zylindrisch, Technische Bedingungen
38525 1988-06-00 Festkondensatoren, Motor-Betriebs-Kondensatoren MKP Zylindrisch, Technische Bedingungen
38529 1987-10-00 Festkondensatoren, Keramik-Scheibenkondensatoren, rund mit Kleinstwertkapazitäten, Klasse 1 Nenngleichspannung 100 V, Technische Bedingungen
38530 1986-10-00 Festkondensatoren, Polystyrol-Kondensatoren KS radial, Technische Bedingungen
38532 1988-03-00 Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten, Feste Chipwiderstände, Nenngröße 315.1206, Technische Bedingungen
38518   U 708 D
38567   SP 105
38584   Metallisierte Polypropylen-Kondensatoren MKPI. Zylindrisch; technische Bedingungen
38590 1982-04-00 Einstellbare Kondensatoren, Keramik-Trimmerkondensatoren, Nennspannung 160V, Technische Bedingungen
38593 1982-10-00 Festkondensatoren, Funk-Entstörkondensatoren, 250 V Nennwechselspannung, Klasse y, Mischdielektrikum, technische Bedingungen
38603 1982-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 173, Technische Bedingungen
38604 1982-06-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände Baureihe 183, Technische Bedingungen
38605 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Logikschaltkreise, V4001D, V4011D, V4012D, V4023D, V4030D, Technische Bedingungen
38607   UB 8830 D / UB 8831 D
38657 1981-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Inverter-Schaltkreise, D104D, E104D und Bipolare AND-Schaltkreise D108D, E108D, Technische Bedingungen
38658   B 451 G / B452 G / B 453 G / B 461 G / B 462 G
38675 1982-10-00 Festkondensatoren, Metallisierte Polyesterkondensatoren MKT3, Prismatisch, Technische Bedingungen
38679 1981-12-00 Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorteile L110C, Technische Bedingungen
38690 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U256C und U256D, Technische Bedingungen
38691 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V40098D, Technische Bedingungen
38692 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise V4093D, Technische Bedingungen
38693 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Decoder-Schaltkreis V40511D, technische Bedingungen
38694 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Treiber-Schaltkreis V4050D, Technische Bedingungen
38739   KT 391
38740   KT 313
38748 1985-02-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA60, VQA70, VQA80, Technische Bedingungen
38799   KT 117
38908   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit axialen Anschlussdrähten, Niedervolt; technische Bedingungen
38925 1982-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Operationsverstärkerschaltkreise, B611D, B615D, B621D, B625D, B631D, B635D, B761D, B765D, B861D, B865D, B2761D, B2765D, B4761D und B4765D, Technische Bedingungen
38928 1987-04-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren mit einseitigen Anschlussdrähten, Niedervolt, Technische Bedingungen
38929 1982-04-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen
38929 - 1. Änderung 1985-12-20 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Feste Schichtwiderstände mit definiertem Frequenzverhalten Baureihe 17 und 27, Technische Bedingungen
38965   TANTAL-Festkörper-Kondensatoren, tropfenförmig, technische Bedingungen
38979 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B176D und B177D, technische Bedingungen
38995 1983-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Lese-Schreib-Speicher-Schaltkreis, U215D, U215D1, U225D, U225D1, Technische Bedingungen
38996 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4013D, V4027D, Technische Bedingungen
38997 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4015D, V4028D, Technische Bedingungen
38998 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4035D, Technische Bedingungen
38999 1984-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolare Logikschaltkreise, V4042D, Technische Bedingungen
39000 1982-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kurzschlussfester Treiberschaltkreis E412D, Technische Bedingungen
39001 1982-05-00 HalbleiterBauelemente, Silizium-pnp-Hochfrequenz Transistoren SF 116 bis SF 119, Technische Bedingungen
39013 1982-08-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, prismatisch, Technische Bedingungen
39014 1984-07-00 Feste und mechanische veränderbare Widerstände, Veränderbare Schichtwiderstände Baureihe 795 und 805, Technische Bedingungen
39121 1981-12-00 Elektronenröhren. Endikon F 2,5 M 51 A , Endikon F 2,5 M 51 B. Technische Bedingungen
39123 1984-08-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD335, SD337, SD339, pnp-SD336, SD338, SD340, Technische Bedingungen
39125 1984-11-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Leistungstransistoren, npn- SD345, SD347, SD349, pnp-SD346, SD348, SD350, Technische Bedingungen
39352 1983-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteanzeigen, VQE21 bis VQE24, Technische Bedingungen
39353 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA18, VQA28, VQA38, Technische Bedingungen
39358 1981-12-00 Rechentechnik. Elektronischer Taschenrechner. MR 412 und MR 609. Technische Bedingungen
39402 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker K140UD7, Technische Bedingungen
39422 1987-06-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA14, VQA24, VQA34, Technische Bedingungen
39490 1988-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise, B 080 D / B 081 D / B 082 D / B 083 D / B 084 D B080D/Dm/Dp/Dt bis B084D/Dm/Dp/Dt, Technische Bedingungen
39609 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise, A2030H und A2030V, Technische Bindungen
39681   Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren für geschaltete Netzteile, Becher mit Schraubanschlüssen, Niedervolt; technische Bedingungen
39700 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 130, technische Bedingungen
39701 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 104, technische Bedingungen
39704 1985-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsregler-Schaltkreise, B3170V, B3171V, B3370V und B3371V, Technische Bedingungen
39705 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreise B060D, B061D, B062D, B064D und B066D, Technische Bedingungen
39722 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA16, VQA26, VQA 36, VQA 46, Technische Bedingungen
39723 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA17, VQA27, VQA 37, VQA 47, Technische Bedingungen
39724 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA19, VQA29, VQA 39, VQA 49, Technische Bedingungen
39797 1984-07-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR09A, FAT09A, FAS09A, Technische Bedingungen
39798 1984-04-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR13A, FAT13A, FAS13A, FAR19A, FAT19A, FAS19A, Technische Bedingungen
39799 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare 4-BIT Latch-Schaltkreise D175D, Technische Bedingungen
39800 1983-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Monostabile Multivibrator-Schaltkreise D121D und E121D, Technische Bedingungen
39865 1988-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Low-Power-Schottky-TTL-Schaltkreise, DL000D, DL002D, DL003D, DL004D, DL008D, DL010D, DL011D, DL020D, DL021D, DL026D, DL030D, DL074D, Technische Bedingungen
39866 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Interface-Schaltkreis, DS8205D, Technische Bedingungen
39891 1984 SU 180
39894 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leistungs-NAND-Schaltkreise, DL037D, DL038D und DL040D, Technische Bedingungen
39917 1986-07-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 8/25, Technische Bedingungen
39934 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Ansteuerschaltkreis für Schrittantriebe D395D, Technische Bedingungen
42047 1982-11-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdiode VQ 121, technische Bedingungen
42070 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-npn-Transistorarray-Schaltkreise B315D, B315E, B315K, B325D, B325E, B325K, B360D, B360E, B360K, B380D, B380E, B380K, technische Bedingungen
42071 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Pal-Dekoder-Schaltkreis A3510D, technische Bedingungen
42072 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Secam-Dekoder-Schaltkreis A3520D, technische Bedingungen
42073 1985-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Video-Kombinations-Schaltkreis A3501D, technische Bedingungen
42074 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Kommutator-Schaltkreis B390D, technische Bedingungen
42075 1983-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare BCD-zu-7-Segment-Dekoder-Schaltkreise D345D bis D348D, D346D1, D348D1 und E345D bis E348D, technische Bedingungen
42076 1986 SU 186 / SU 187 / SU 188
42101   L 211 C
42102 1987-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA101, VQA201 VQA301, technische Bedingungen
42170 1986-05-00 HalbleiteBauelemente, Lichtemitteranzeige VQB 200 und VQB 201, Technische Bedingungen
42171 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Operationsverstärker-Schaltkreis K 153 UD5, Technische Bedingungen
42172 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-fach 4:1 Datenselektor/Multiplexer Schaltkreis K 155 KP2, Technische Bedingungen
42173 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Exklusiv-ODER-Gatter-Schaltkreis K 155 LP5, Technische Bedingungen
42174 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schaltkreis Typgruppen K 589, Technische Bedingungen
42175 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis K 155 IM3, Technische Bedingungen
42177 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungstransistor KT 945 B, Technische Bedingungen
42178 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 837 A, B, W, G, D, E, Sh, I, K, L, M, N, P, R, S, T, U, F, Technische Bedingungen
42180 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-NF-Leistungstransistor KT 827 A, B, W, Technische Bedingungen
42181 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-pnp-UHF-Transistor kleiner Leistung KT 3109 A, B, W, Technische Bedingungen
42219   SY 356
42222   U 214 D 20 / U 214 D 30 / U 214 D 45
42231 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 215, Technische Bedingungen
42232 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher U 214 D45, U 214 D30 und U214 D20, Technische Bedingungen
42233 1986-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher US 224 D20, U 224 D30 und UH 224 D30, UL 224 D30 und VL 224 D20 Technische Bedingungen(US 224 D 20; US 224 D 30; VL 224 D 20; VL 224 D 30; UL 224 D 20; UL 224 D 30)
42234 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dynamischer Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreis U 2164 C20, U 2164 C20/1 und U 2164 C25, Technische Bedingungen
42234   ( U 84 C 30 DC)
42236 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchiprechnerschaltkreise U8047 PB und U 8047 PG, Technische Bedingungen
42254 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 123, technische Bedingungen
42255 1984-12-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 102, technische Bedingungen
42259 1984-01-00 Elektrische Informationstechnik, Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 7, Grundausführung
42283 1984-04-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR11A, FAT11A, FAS11A, Technische Bedingungen
42358 1984 SC 116 / SC 117 / SC 118 / SC 119
42421 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Invertierender Bidirektional-Bus-Treiber, Schaltkreis K 589 AP26, technische Bedingungen
42423 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-pnp-NF-Leistungstransistoren, KT 825 G, D, E, Technische Bedingungen
42424 1984-06-00 Halbleiterbauelemente, Gehäuseloser Silicium-pnp-SHF-Leistungstransistoren, KT 3101 A-2, Technische Bedingungen
42426 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronische Koppler MB 130 bis MB 135, Technische Bedingungen
42466 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-Zeitgeber-Schaltkreis B556 D, Technische Bedingungen
42467 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Initiatorschaltkreise B303 D, B304D, B305 D und B306D, Technische Bedingungen
42577 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Blinkgeberschaltkreis E310 D, Technische Bedingungen
42578 1984-04-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Leistungsoperationsverstärker-Schaltkreis B165 D, B165 V, B165 H1, B165 V1, Technische Bedingungen
42561   U 61256 DC
42562   U 4548 DC
42563   U 6264 DG
42577 1986 E 310 D
42591 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeige MQC 11, Technische Bedingungen
42622 1984-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8216D, DS 8286D und DS 8287D, Technische Bedingungen
42623 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Interface-Schaltkreise DS 8212D, DS 8282D und DS 8283D, Technische Bedingungen
42624 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolare Ton-ZF-Verstärkerschaltkreis A224D, Technische Bedingungen
42628   V 4007
42629   V 4027 D; V 4029 D
42630   V 4034 D
42631   V 4017 D
42632   V 4019 D; V 4023 D; V 4048 D;
42633   V 4044 D
42634   UB 8840 M / UB 8841 M
42635   UL 7211 D
42638   UP 7211 D
42639   UB 8820 M / UB 8821 M
42643/01 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Baureihe U 74HCT
42643/02 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT00 DK
42643/03 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT02DK
42643/04 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT04DK
42643/05 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Gatter U 74HCT86DK
42643/06 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT74DK
42643/07 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Flip-Flop U 74HCT374DK; U 74HCT534DK
42643/08 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Decoder/Demultiplexer U 74HCT138DK
42643/09 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Transceiver U 74HCT242DK; U 74HCT243DK
42643/10 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS - Logik - Schaltkreis, technische Bedingungen, Latch U 74HCT373DK; U 74HCT533DK
42643/11   U 74HCT08DK
42643/12   U 74HCT20DK
42643/13   U 74HCT21DK
42643/14   U 74HCT32DK
42643/15   U 74HCT175DK
42643/16   U 74HCT192DK
42643/17   U 74HCT193DK
42643/18   U 74HCT241DK
42643/19   U 74HCT245DK
42643/20   U 74HCT253DK
42643/21   U 74HCT257DK
42643/22   U 74HCT03DK
42644   U 84 C 40 DC / U 84 41 DC
42649   U 84 C 20 DC
42653   U84 C 00 DC
42662   U 192 D
42663   U 1056 D (U 1159DC nur Werkstandard: MDS 106)
42699/01 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1
42699/01 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais EGK 13/1
42699/02 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1
42699/02 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGS 13/1
42699/03 1984-10-00 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1
42699/03 - 1. Änderung 1987-03-17 Elektrische Informationstechnik, Relais mit Schutzrohrkontakten, Baureihe 13, Relais RGT 13/1
42737 1985-07-00 Neutrale Elektromagnetische Relais, GBR 11, GBR 12, GBR 13, Grundausführung
42739 1987-08-00 Halbleiterbauelemente, Diodenmodule MDD 16, MDD 25, MDD 40 und MDD 63, Technische Bedingungen
42767 1985-07-00 Feste und mechanisch veränderbare Widerstände, Veränderbare Drahtwiderstände, Baureihe 604 und 614, Technische Bedingungen
42769   Keramische Vielschicht-Chip-Kondensatoren (KEVC) bis 200 V Nennspannung; allgemeine technische Bedingungen
42777 1985-08-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Leistungsschalttransistoren SU 189 und SU 190, technische Bedingungen
42778 1987 SU 377 / SU 378 / SU 379 / SU 380
42779 1986-03-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungstransistor SU 111, technische Bedingungen
42789 1988-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer NF-Stereo-Steller-Schaltkreis A 1524D, technische Bedingungen
42836 1986-01-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-UHF-Leistungstransistoren KT 930 A, B, technische Bedingungen
42837 1986-01-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-VHF-Transistor KT 931 A, technische Bedingungen
42878 1988 MB 105
42933 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Temperaturfühler-Schaltkreise, B 511 N1, B 511 N2, B511 N3, B 511 N4, B 511 Nm, technische Bedingungen
42934 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen
42934 - 1. Änderung 1988-07-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kleinleistungs-Referenz-Schaltkreis B589 N, technische Bedingungen
42940 1985-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 16 bis VQB 18, technische Bedingungen
42942 1987-12-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotlasermodul VQ 150, technische Bedingungen
42943 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 106, technische Bedingungen
43012 1986 V 4046 D
43013 1986 V 4051 D
43014 1986 V 4046 D; V 4066 D;
43016 1986 V 4520 D; V 4531 D;
43017 1986 V 4538 D;
43018 1986 V 4585 D
43019   UB 8001 C / UB 8002 D
43020 1987-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherverwaltungsschaltkreise, UB 8010 C, Technische Bedingungen
43052   Festwertschichtwiderstände für Präzisions- und Ultrapräzionsanwendungen, Baureihe 21 (axiale Form, axial bedrahtet); technische Bedingungen
43058   C 502 D
43070 1985-04-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 205 bis VQE 208, technische Bedingungen
43076   U 2365 D 30 / U 2365 D 45
43077   U 2716 C 35 / U 2716 C 39 / U 2716 C 45
43078   U 2616 D
43084 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen
43084 - 1. Änderung 1988-10-16 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analogprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C500D und C501D, Technische Bedingungen
43085 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreise für integrierende Analog-Digital-Wandler, C502D, Technische Bedingungen
43099 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Kamera-Schaltkreis A321G, Technische Bedingungen
43155 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Aufnahme-Wiedergabe-Verstärker-Schaltkreis A1818D, Technische Bedingungen
43156 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer AM-FM-ZF-Verstärker-Schaltkreis A4100D, Technische Bedingungen
43157 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Doppel-NF-Leistungsverstärker-Schaltkreise A2000 V/Vm und A 2005 V/Vm, Technische Bedingungen
43158 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen
43158 - 1. Änderung 1987-07-20 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreise A4510D und A 4510D1, Technische Bedingungen
43159 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Digital-Analog-Wandler-Schaltkreise C656C, C565D, C565C1, C565D1, C5650C, C5650D, C5658 und C5658D, Technische Bedingungen
43199   Metallisierte Polyesterkondensatoren (zylindrische Bauform, zentrisch-axiale Bedrahtung)
43202 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-J-K-Flipflop DL 112 D, Technische Bedingungen
43203 1986-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zweifach-monostabiler Multivibrator-Schaltkreis DL 123 D, Technische Bedingungen
43204 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 192 D, DL193 D, Technische Bedingungen
43205 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Zähler-Schaltkreise DL 090 D, DL093 D, Technische Bedingungen
43206 1985-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Schmitt-Trigger-Schaltkreise DL 014 D und DL 132 D, Technische Bedingungen
43240   Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; feste Chipwiderstände; allgemeine technische Bedingungen
43268 1986-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43268 - 1. Änderung 1986-12-30 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43268 - 2. Änderung 1989-02-10 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Digitalprozessorschaltkreis für integrierende Analog-Digital-Wandler C504D, technische Bedingungen
43269 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandlerschltkreise C570C, C570D und 10-Bit-Analog-Digital-Wandlerschaltkreise C571C, C571D, C571C1, C571D1, Technische Bedingungen
43290 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, AND-NOR-Schaltkreis DL051D, Technische Bedingungen
43291 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Exklusiv-Oder-Schaltkreis DL086D, Technische Bedingungen
43292 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 2-auf4-Dekoder/Demultiplexer-Schaltkreis DL155D, Technische Bedingungen
43293 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vierfach-D-Flipflop-Schaltkreis DL175D, Technische Bedingungen
43294 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL194D, Technische Bedingungen
43295 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen
43295 - 1. Änderung 1988-03-15 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Multiplexer-Schaltkreise DL251D, DL253D, DL257D, Technische Bedingungen
43296 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL295D, Technische Bedingungen
43297 1985-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Komparator-Schaltkreis DL8121D, DL 2632 D Technische Bedingungen
43298 1988-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Systemtaktgenerator-Schaltkreis DL8127D, Technische Bedingungen
43299 1988-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-Bit-A/D-Wandler-Schaltkreis C574C, Technische Bedingungen
43346 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 191, technische Bedingungen
43347 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 192, technische Bedingungen
43348 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 196, technische Bedingungen
43349 1987-02-00 Halbleiterbauelemente, Siliciumgleichrichterdioden SY 197, technische Bedingungen
43350 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 525, Technische Bedingungen
43351 1987-11-00 Halbleiterbauelemente, Schottky-Leitungsgleichrichterdioden SY 526, Technische Bedingungen
43352 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Epitaxial-Leitungsgleichrichterdioden SY 625, Technische Bedingungen
43353 1987-07-00 Festkondensatoren, Aluminium-Elektrolyt-Kondensatoren, Sockel mit Schraubenschlüssel, Hochvolt Typ IA, Technische Bedingungen
43386 1986-03-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-Hochfrequenztransistoren, pnp-SF 816 bis SF 819, npn-SF 826 bis SF 829, Technische Bedingungen
43386 1981 SF 129 B
43402/03 1987-10-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, VQH 604, Technische Bedingungen
43402/05 1989-09-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeigen, VQH 205, VQH 206, VQH 207, Technische Bedingungen
43402/08 1988-11-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitter-Flachbandanzeige, MQH 200, Technische Bedingungen
43403 1987-03-00 Halbleiterbauelemente, optoelektronischer Koppler MB 106, Technische Bedingungen
43408 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, CMOS-AD-Wandler-Schaltkreis C7136 D, Technische Bedingungen
43411 1987-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 715, Technische Bedingungen
43428 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kanalfilterschaltkreis U1001C, Technische Bedingungen
43429 1985-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, PCM-Kodier- und Dekodierschaltkreis U1011C, Technische Bedingungen
43558 1985-11-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 16A, FAS 16A, FAT 16A, Technische Bedingungen
43559 1985-11-00 Flüssigkristall-Bauelemente, Flüssigkristallanzeigen, FAR 17A, FAS 17A, FAT 17A, Technische Bedingungen
43590 1987 SY 710
43606 1986-01-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, OR-Schaltkreis DL 032 D, Technische Bedingungen
43607 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungssender-Schaltkreis DL 2631D, Technische Bedingungen
43608 1986-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 4-Bit-Volladdierer-Schaltkreis DL 083D, Technische Bedingungen
43609 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Schieberegister-Schaltkreis DL 164D, Technische Bedingungen
43610 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Adressierbarer 8-Bit-Latch-Schaltkreis DL 259 D, Technische Bedingungen
43611 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Universalschieberegister-Schaltkreis DL 299D, DL 295 D Technische Bedingungen
43612 1986-08-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8xD-Flip-Flop-Schaltkreis DL 374D, Technische Bedingungen
43613 1986-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungstreiber-Schaltkreise DL 540D und DL 541D, Technische Bedingungen
43614 1986-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Ansteuerschaltkreis für Leistungstransistoren B 4002D, Technische Bedingungen
43638 1987-08-00 Halbleiterbauelemente, Silicium-npn-Darlington-Leistungsschalttransistoren, SU 508, SU 509 und SU 510, technische Bedingungen
43743 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speischer-Schaltkreise U2148D55 und U2148D70, Technische Bedingungen
43746 1988 SU 389 / SU 390
43763 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 212, Technische Bedingungen
43764 1986-06-00 Halbleiterbauelemente, Fototransistor SP 213, Technische Bedingungen
43787 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Fassung für integrierte Schaltkreise, Fassung 24-32/30,5-81x17,7, Technische Bedingungen
43788 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Spannungsversorgungsschaltkreis B384D, Technische Bedingungen
43789 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Testschaltkreis B385D, Technische Bedingungen
43790 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speiseschaltkreis B386D, Technische Bedingungen
43791 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Analog-Prozessor-Schaltkreis für Teilnehmeranschlussschaltungen B3870D, Technische Bedingungen
43792 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Dialog-Analog-Wandler-Schaltkreise C560C und C560D, Technische Bedingungen
43795 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B4206D, Technische Bedingungen
43808 1987-03-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Graphics-Display-Controller, U82720 DC02;U82720 DC03, U82720 DC04, Technische Bedingungen
43809 1987-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2732 CC35, U2732 CC39, U2732 CC45, Technische Bedingungen
43810 1987-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Unipolarer Festwertspeicher-Schaltkreise U2632 DC45, Technische Bedingungen
43811 1987-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Speicherschaltkreise U804 DC, Technische Bedingungen
43812 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Einchipmikrorechnerschaltkreis U8611 DC08-xxx, U8611 DC08/01, UL8611 DC08-xxx, UL8611 DC08/01, Technische Bedingungen
43813   U 82530 DC / U 8030 DC
43818 1986-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Gate-Array-Schaltkreis, Typgruppe U5201, Technische Bedingungen
43876 1988-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Standardzellenschaltkreise der Typengruppen U 1500 und U 1520, Technische Bedingungen
43877 1987-01-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden, VQA 102 und VQA 202, Technische Bedingungen
43887 1987-09-00 Kontaktbauelemente, Steckverbinder 16-96/95x11,1, Bauform C, Technische Bedingungen
43907 1988-04-00 Festkondensatoren, Metallisierte Polyester-Kondensatoren, (MKT) prismatisch, Klasse 1. Technische Bedingungen
43922 1986-12-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Statische Schreib-Lese-Speicher-Schaltkreise U6516 DG 15, UL6516 DG15 und UL6516 DG 25, Technische Bedingungen
43923 1988 SU 386 / SU 387 / SU 388
43929   DL 051 D
43955 1987-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Leitungsempfänger-Schaltkreise DL2632 D und DL2632 D1 für Differenzsignale, technische Bedingungen
43956 1988-06-00 Halbleiterbauelemente, Komplementäre-Silicium-Darlington-Leistungstransistoren npn BD 643, BD 645, BD647, BD649, pnp BD644, BD646, BD648, BD650, technische Bedingungen
43961 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 16-Bit-Serien-Parallel-Wandler-Schaltkreis D718D, Technische Bedingungen
43971 1989-05-00 Halbleiterbauelemente, Silizium-Niederfrequenz-Transistoren, npn- SCE 535, SCE 537, SCE 539, pnp- SCE 536, SCE 538, SCE 540, technische Bedingungen
43979 1989-08-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 175, Technische Bedingungen
45025 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, DC-DC-Wandler-Schaltkreise U7660 DC, U7660 DG Technische Bedingungen
45026 1988 SSE 200 / SSE 201 /SSE 202
45039 1987-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer Stereo-Decoder-Schaltkreis A 4511D, Technische Bedingungen
45040 1988 SU 518 / SU 519 / SU 520
45044 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4207D, Technische Bedingungen
45045 1987-09-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Drehzahlregel-Schaltkreis B 4211D, Technische Bedingungen
45046 1988-12-00 Halbleiterbauelemente, Siliziumgleichrichterdioden SY 193, Technische Bedingungen
45047 1988-12-00 Halbleiterbauelemente. Siliciumgleichrichterdioden SY 198. Technische Bedingungen
45055   Feste Widerstände für die Anwendung in elektronischen Geräten; Technische Bedingungen
45133 1989-07-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Vertikalablenk-Schaltkreis A 1670 VD, Technische Bedingungen
45134   U 4541 DG
45135 1988-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 8-Bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreise, C670C, C670Cn, C670CGn, C670D und C670Dn, technische Bedingungen
45136 1988 SU 310 / SU 311 / SU 312
45137 1988 SU 192
45167 1988 B 3040 DA; Treiber-Sensor-Schaltkreis
45223 1988 SU 382 / SU 383 / SU 384
45230   Keramische Vielschicht-Kondensatoren mit radialen Anschlussdrähten (KEVA)
45231 1987-01-00 FlüssigkristallBauelemente, Flüssigkristall-Matrix-Anzeigen, FCR 30A, FCS 30A, FCT 30A, Technische Bedingungen
45232 1988 U 2664
45235 1989-05-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Peripherieschaltkreis, U 82536 DC04, U 8036 DC04, Technische Bedingungen
45236   U 82062 DC 05
45250 1988-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer 8-Bit-Teiber-Schaltkreis D4803 DC, Technische Bedingungen
45279/02 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Fotodiode SP 114, Technische Bedingungen
45279/03 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP116, SP117, SP123, Technische Bedingungen
45279/04 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP119, SP121, Technische Bedingungen
45279/05 1988-01-00 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen
45279/05 - 1. Änderung 1989-09-05 Halbleiterbauelemente, Fotodioden, Optische Positionssensoren SP124, Technische Bedingungen
45418   Keramische Scheibenkondesatoren der Klasse 1 und 2 sowie Nennspannungen bis 400V (Bauformen: SVA / SVO / SUA / SUO)
45443 1989-06-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, 12-bit-Analog-Digital-Wandler-Schaltkreis U739DC, Technische Bedingungen
45449 1988-10-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Bipolarer PLL-Regel-Schaltkreis B290SD, Technische Bedingungen
45516 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitterdioden VQA 103, VQA 203, VQA 303, Technische Bedingungen
45523 1989-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, Nullspannungsschalter-Schaltkreis, B4204DE und B4205DE, Technische Bedingungen
45577   B 2960 VG
45656 1989-02-00 Integrierte Halbleiterschaltkreise, BIFET-Operationsverstärker-Schaltkreis B411DD, Technische Bedingungen
45708 1989 MQE 10
45741   L 220 C
45903   U 80601
45904   U 80606 DC
45906   U 80610
55055 1987-05-00 Kontaktbauelemente, Flachsteckverbinder 2-20/2,5-50,4x14,0, technische Bedingungen
55099 1986 VQ 125
55100 1983-06-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ123, technische Bedingungen
55104 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen
55104 - 1. Änderung 1987-03-16 Halbleiterbauelemente, Infrarotemitterdioden VQ 170, Technische Bedingungen
55105 1984-04-00 Halbleiterbauelemente, SI-PIN-Fotodiode SP 107, Technische Bedingungen
55106 1988-09-00 Halbleiterbauelemente, Fotodiode SP 109, Technische Bedingungen
55108 1984-07-00 Halbleiterbauelemente, Ladungsgekoppelte Sensorzeile L133C, Technische Bedingungen
55110 1983-07-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQE 11 bis VQE 14, Technische Bedingungen
55111 1985-02-00 Halbleiterbauelemente, Lichtemitteranzeigen VQB 26 bis VQB 28, Technische Bedingungen
55112 1983 SCE 307 / SCE 308 / SCE 309
55113 1984 SFE 225
55163 1983-09-00 Festkondensatoren, Polyester-Kondensatoren, zylindrisch geschützt, technische Bedingungen
55164   Polystyrol-Kondensatoren, zylindrisch, zentrisch-axial; technische Bedingungen
nach oben Seitenanfang Letzte Änderung dieser Seite: 14.06.2022